公开(公告)号：CN101162731A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710102331.6

申请日：2007-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  户塚正裕

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明提供一种价格低廉的场效应晶体管及其制造方法，通过耐湿绝缘膜的厚膜层叠对栅电极周围进行防湿处理，而且可以抑制栅极电容的增大。上述场效应晶体管是在半导体层上配设有T型或Γ型栅电极、通过n型参杂的半导体区设置的漏电极和源电极的场效应晶体管，具有将上述栅电极的周围和上述半导体层的表面覆盖的膜厚小于等于50nm的绝缘膜和以催化剂CVD法堆积而将上述绝缘膜覆盖的氮化硅膜，利用上述氮化硅膜，在上述栅电极的相当于张开的伞罩的部分和上述半导体层之间形成空洞。

公开(公告)号：CN115244665A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202080098358.6

申请日：2020-03-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 户塚正裕

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 具备在半导体基板(10)之上依次交替地层叠相同数量的均具有导电性的第一层(14)和第二层(16)而成的密接层(18)。具备形成于密接层(18)之上的金属层(24)。第一层(14)由包含构成半导体基板(10)的元素的材料构成。第二层(16)与金属层(24)之间的密接性比第一层(14)高。密接层(18)具有合计4层以上的第一层(14)以及第二层(16)。在构成密接层(18)的第一层(14)以及第二层(16)中，若除去与金属层(24)接触的第二层(16)，则与半导体基板(10)接触的第一层(14)的膜厚最厚，若除去与半导体基板(10)接触的第一层(14)，则与金属层(24)接触的第二层(16)的膜厚最厚。

公开(公告)号：CN101740356B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200910161894.1

申请日：2009-08-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 户塚正裕

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/92 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够容易地制造如下半导体装置的方法，该半导体装置在设置晶体管或布线的部位不形成由相对介电常数是10以上的high-k材料构成的MIM电容器的高介电常数膜。本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体衬底上形成下电极的工序；在上述下电极上涂覆光抗蚀剂的工序；与上述下电极的外周部相比在中央侧在上述光抗蚀剂形成开口部的工序；成膜由相对介电常数为10以上的high-k材料构成的高介电常数膜的工序；以与上述下电极的外周部相比在中央侧残留高介电常数膜的方式，进行剥离的工序；以及在通过上述剥离而残留的上述高介电常数膜上形成上电极的工序。