公开(公告)号：CN103502006A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021972.8

申请日：2012-03-28

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 河内山拓郎 ,  升井英治 ,  柳田圭一 ,  上木户健

IPC: B32B27/34 ,  C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K1/036 ,  B32B15/08 ,  B32B27/281 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2307/31 ,  B32B2457/08 ,  C08G73/10 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/022 ,  H05K2201/0154 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31721

Abstract: 本发明提供一种在加热过程不会产生起泡和其他问题的聚酰亚胺膜,以及聚酰亚胺金属层压体，其中所述聚酰亚胺膜与金属层是层压的。本发明涉及一种聚酰亚胺膜，包括:聚酰亚胺层(b),和层压接触所述聚酰亚胺层(b)的聚酰亚胺层(a),其中不与聚酰亚胺层(a)接触的所述聚酰亚胺层(b)的一面具有热熔结合性,不与聚酰亚胺层(b)接触的所述聚酰亚胺层(a)的一面不具有热熔结合性,并且所述聚酰亚胺层(a)包括由四羧酸组分和二胺组分形成的聚酰亚胺，所述四羧酸组分含有2,3,3',4'-联苯四羧酸二酐。

公开(公告)号：CN102112293A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130759.9

申请日：2009-06-02

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 上木户健 ,  饭泉畅 ,  西野敏之 ,  升井英治 ,  柳田圭一

IPC: B29C55/08 ,  B29C41/24 ,  C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  B29K79/00 ,  B29L9/00

CPC classification number: B29C41/003 ,  B29C41/24 ,  B29C55/08 ,  B29D7/01 ,  B29K2077/10 ,  B29K2079/08 ,  B29L2007/008 ,  C08G73/1067 ,  C08J5/18 ,  C08J2379/08 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明提供工业上容易实施的、制备宽度方向(TD)的线性膨胀系数比传送方向(MD)的线性膨胀系数小的芳族聚酰亚胺薄膜的方法。将芳族聚酰亚胺薄膜的制备中使用的自支撑性芳族聚酰亚胺前体薄膜的溶剂含量调节为25～45质量％的值，酰亚胺化率调节为5～40％范围的值，沿宽度方向在80～240℃范围的温度开始与自支撑性芳族聚酰亚胺前体薄膜的加热同时进行的拉伸，在350～580℃范围的温度下进行将拉伸的自支撑性芳族聚酰亚胺前体薄膜变换为自支撑性芳族聚酰亚胺薄膜的步骤。