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公开(公告)号：CN118584817A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411052324.X
申请日：2024-08-02
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及MicroLED巨量转移技术领域，公开了一种巨量转移时二维驻波的控制方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：通过搭建偏振光源、偏振相机及相关光路对氛围介质中MicroLED载物面板的二维驻波进行检测；通过在MicroLED载物面板引入多位点的振动输入源及基于神经网络模型的智能优化算法，对氛围介质中的MicroLED载物面板振动过程产生的二维驻波进行精确控制，通过设计进化算法对振动数据进行优化并使用神经网络模型学习调优策略，完成对载物面板二维驻波进行优化，最终实现精确稳定的巨量转移振动控制。本发明有效解决了现有技术中仅通过单一振动频率输入或者固定的振动频率组合进行输入不能适应MicroLED目标背板尺寸结构变化，不能针对载物面板出现的驻波进行调整的问题。
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公开(公告)号：CN118153692B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410580190.2
申请日：2024-05-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及多模态数据应用技术领域，公开了一种基于语义的跨模态知识联想方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：获取跨模态知识及其对应的语言描述作为语义跨模态数据集；构建跨模态知识联想模型，跨模态知识联想模型包括语义mask子模型和融合变换因子生成子模型，语义mask子模型用于对语义跨模态数据集进行遮罩处理生成与语言描述最相关的部分数据，融合变换因子生成子模型用于对语义跨模态数据集进行处理生成变换因子；将语义跨模态数据集输入经过训练的跨模态知识联想模型中，输出符合语言描述的跨模态知识联想。本发明方法能够实现将最符合模型当前任务的跨模态知识联想用于下游任务，大幅提升深度学习模型面对跨模态任务的泛化能力。
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公开(公告)号：CN118408932A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410870052.8
申请日：2024-07-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种Micro‑LED检测设备及检测方法，属于Micro‑LED检测技术领域，该设备包括运动台、激光器、物镜、反射镜、采集器、半透半反镜、第一灰度相机、第二灰度相机。本申请提供的上述方案，在反射镜处于第一位置时，物镜成像后发出的光经过半透半反镜后，会分别进入到第一灰度相机和第二灰度相机中，后经过图像采集卡发送给计算机；在反射镜处于第二位置时，物镜成像后发出的光会经过反射镜后进入到采集器中，采集器通过标准光谱或色度对光图像进行标定，标定后的光图像经过图像采集卡发送给计算机，计算机再分析、计算标定后的光图像和经过灰度相机处理的光图像，从而实现Micro‑LED快速、高精度检测。
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公开(公告)号：CN117849048A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311740965.X
申请日：2023-12-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种晶圆扫描方法、装置、设备及存储介质，属于晶圆扫描技术领域。本发明通过确定晶圆的扫描起点，并基于所述扫描起点进行自动对焦，生成双峰值曲线；在进行晶圆扫描时，根据所述双峰值曲线进行对焦控制；在对焦完成后，检测运动平台的运动位置；计算晶圆扫描的清晰度；通过所述清晰度进行轨迹规划，以完成晶圆扫描，解决了现有图像对焦无法快速判断离焦方向以及在晶圆扫描过程中，边界难以快速稳定判断及路径规划的问题，提高晶圆扫描的效率和效果。
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公开(公告)号：CN115575790A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211587907.3
申请日：2022-12-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种微米发光二极管芯片缺陷检测方法、设备及存储介质，属于芯片检测技术领域，该方法包括：获取微米发光二极管芯片的光谱数据，将所述光谱数据转化为待测光谱向量；确定所述待测光谱向量与预设的背景光谱向量之间的第一角度参量，若所述第一角度参量符合预设的检测条件，则将所述待测光谱向量作为目标光谱向量；确定所述目标光谱向量与预设的参考光谱向量之间的第二角度参量，根据所述第二角度参量和预设的参量阈值之间的大小关系判断所述微米发光二极管芯片是否异常。本发明通过光谱角匹配进行微米发光二极管芯片的缺陷检测，实现了提高微米发光二极管芯片检测效率的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114815279A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210720977.5
申请日：2022-06-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于光场结构的偏振成像方法、装置、偏振相机及介质，通过使用偏振片阵列和针孔阵列实现多个不同偏振方向的初始偏振光信息的同时采集，不仅解决了偏振光信息采集存在的不便捷性，还提升了采集速度，通过针孔阵列将偏振片阵列成像到光电探测器中，使得输出的偏振图像具有高空间分辨率，避免需使用微偏振片存在的制作难度和成本居高不小的情况，同时，采用单偏振方向子单元近似预处理法或多空间像素单元子单元拟合插值预处理法的预处理的方法对初始偏振光信息进行预处理，也能在无需微偏振片的情况下提升偏振图像的高空间分辨率，使得偏振相机能够同时满足高探测成像速度、高空间分辨率的偏振图像成像需求和便捷性的产线检测需求。
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公开(公告)号：CN114441149B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210371679.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提出的一种微米发光二极管检测系统及检测方法，属于发光二极管检测领域，其中，系统包括第一光发生模块，用于发出第一光信号至多个待测微米发光二极管，以使多个待测微米发光二极管生成第二光信号；高光谱相机，所高光谱相机用于采集第二光信号，获得光谱成像帧，光谱成像帧中包括多个待测微米发光二极管的光谱数据；控制模块，与高光谱相机连接，用于基于光谱成像帧，从多个待测微米发光二极管中确定出缺陷微米发光二极管，其中，多个待测微米发光二极管，在接收到第一光信号中的光能后，激发自身以生成第二光信号。本发明实现同时准确对多个微米发光二极管进行检测，提高了在生产中对微米发光二极管的检测效率。
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公开(公告)号：CN119534354B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510089895.9
申请日：2025-01-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/25 , G01N21/63 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本申请公开了一种材料掺杂检测方法、装置、电子设备及存储介质，涉及材料掺杂技术领域，包括：获取待检样品的掺杂体系信息，掺杂体系信息包括：主体材料信息、掺杂材料信息和掺杂标准信息，主体材料信息为主体材料与掺杂相关的信息，掺杂材料信息为掺杂进主体材料中的材料的信息，掺杂标准信息指掺杂成功后形成的掺杂体系的信息；获取待检样品在光致发光后的高光谱数据；基于高光谱数据和掺杂体系信息，得到待检样品的材料掺杂检测结果。本申请技术方案旨在解决如何在不损伤样品的前提下高效地检测出材料掺杂的结果的技术问题。
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公开(公告)号：CN118640956A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411105170.6
申请日：2024-08-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种星上定标板及其制备方法、星上定标器件，属于航天遥感技术领域，星上定标板包括：基板，以及依次位于基板的入光侧的生长衬底、衰减层和保护层；衰减层包括层叠设置的掺杂层和隔断层，掺杂层和生长衬底接触；掺杂层中包括第一材料和第二材料，第一材料和第二材料之间的透过率至少相差10%。本申请解决了多孔板作为星上定标板微孔容易受到堵塞，导致保存困难的技术问题，且保护层能够抵抗星上定标工作环境下宇宙粒子和紫外辐照的侵蚀。
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公开(公告)号：CN117934454B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410304466.4
申请日：2024-03-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质，属于发光元件检测技术领域，该方法包括：获取成像系统中点光源的光强分布信息；根据所述光强分布信息，确定发光单元的光强响应信息；根据所述光强响应信息构建校正函数；基于所述校正函数对所述成像系统生成的检测图像进行校正处理，得到校正图像。本发明通过考虑毗邻效应在发光单元批量检测中的影响，实现了提升发光单元批量检测准确度的技术效果。
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