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公开(公告)号：CN113744163B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111295516.X
申请日：2021-11-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于图像处理技术领域，公开了一种集成电路图像增强方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取集成电路的待处理的太赫兹图像；利用多尺度高斯函数对所述待处理的太赫兹图像进行去模糊处理，得到多个第一图像；对所述多个第一图像进行平均处理得到平均图像；利用LatLRR算法对所述平均图像进行多尺度分解得到多个细节图像；利用Bregman迭代算法对所述平均图像进行增强处理，得到第二图像；对所述多个细节图像和所述第二图像进行平均处理得到增强图像；从而可得到细节特征清晰的太赫兹图像，使图像的隐藏特征显现，与现有技术相比，得到的图像更有利于准确地判断集成电路的电介质层断裂、裂纹和分层等缺陷情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113744162B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111294870.0
申请日：2021-11-03
Applicant: 季华实验室
IPC: G06T5/00
Abstract: 本申请属于图像处理技术领域，公开了一种工业产品图像增强方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取待处理的太赫兹图像；对所述待处理的太赫兹图像进行恢复亮度处理；基于优化MSR算法对恢复亮度处理后的太赫兹图像进行增强处理，得到增强图像；从而不仅可以恢复图像场景亮度，消除雾霾，而且可以较好地平衡图像的灰度动态范围和边缘增强，得到的增强图像的细节特征清晰，有利于更准确地检测产品质量。
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公开(公告)号：CN112017986A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011130159.7
申请日：2020-10-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及数据处理领域，提供了一种半导体产品缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括获取由太赫兹拍摄终端对半导体产品进行拍摄得到的内部结构图像，对所述内部结构图像进行预处理得到第一图像，将所述第一图像输入预先训练的缺陷识别模型，输出第二图像，判断所述第二图像中是否包含预设类型的目标区域，若有则确定所述第二图像对应的半导体产品存在缺陷。本发明能够降低检测半导体芯片缺陷问题的难度，提升对半导体芯片缺陷问题的检测精度。
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公开(公告)号：CN113744163A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111295516.X
申请日：2021-11-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于图像处理技术领域，公开了一种集成电路图像增强方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取集成电路的待处理的太赫兹图像；利用多尺度高斯函数对所述待处理的太赫兹图像进行去模糊处理，得到多个第一图像；对所述多个第一图像进行平均处理得到平均图像；利用LatLRR算法对所述平均图像进行多尺度分解得到多个细节图像；利用Bregman迭代算法对所述平均图像进行增强处理，得到第二图像；对所述多个细节图像和所述第二图像进行平均处理得到增强图像；从而可得到细节特征清晰的太赫兹图像，使图像的隐藏特征显现，与现有技术相比，得到的图像更有利于准确地判断集成电路的电介质层断裂、裂纹和分层等缺陷情况。
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公开(公告)号：CN112014329A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011128946.8
申请日：2020-10-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及太赫兹成像技术领域，提供了一种半导体产品内部结构成像系统及方法，该系统包括用于发射第一太赫兹波的发射装置；靠近所述发射装置的发射端设置的光调制装置，用于将所述发射装置发射的第一太赫兹波进行空间编码形成具有空间分布的第二太赫兹波，并穿透待测物体得到包含所述待测物体的内部结构图像数据的第三太赫兹波；相对于所述光调制装置设置的接收装置，用于接收所述第三太赫兹波并转化成电信号；及与所述接收装置电连接的远程终端设备，用于接收所述电信号并提取所述图像数据构建所述待测物体的内部结构图像。本发明具有使成像后的图像轮廓更清晰，成像精度更高的优点。
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公开(公告)号：CN213934467U
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202022843073.0
申请日：2020-12-01
Applicant: 季华实验室
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型提供一种基于金字塔结构的量子点太赫兹调制器，基底材料层的表面可以根据需要设置成不同的凹凸结构，量子点在基底材料层上的承载量将显著提高，进而在泵浦光的照射下该调制器将产生更多的光生载流子，更多的光生载流子迁移到石墨烯薄膜中，实现石墨烯的电导率显著增加，因而对太赫兹的调制深度更高；入射泵浦光将在凹凸结构的基底材料层中产生陷光效应与多次震荡反馈激发效应，有效提高调制器件对泵浦光激励的光电转化效率，在极低的泵浦光功率下实现对太赫兹波的调控。
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