公开(公告)号：CN110310960A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910210031.2

申请日：2019-03-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田辉幸 ,  原义仁 ,  大东彻 ,  今井元 ,  北川英树 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  平田义晴 ,  菊池哲郞 ,  伊藤俊克

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供包括电阻低的栅极金属层的有源矩阵基板。有源矩阵基板包括包含多条源极总线SL的源极金属层及包含多条栅极总线GL的栅极金属层、与配置于各像素区域的薄膜晶体管(101)，薄膜晶体管包括：栅极电极(3)、隔着栅极绝缘层(5)而配置在栅极电极(3)上的氧化物半导体层(7)、源极电极(8)及漏极电极(9)，栅极电极(3)形成在栅极金属层内，且电连接于多条栅极总线GL中的对应的一条栅极总线GL，栅极金属层具有层叠构造，该层叠构造包含铜合金层(g1)、与配置在铜合金层(g1)上的铜层(g2)，铜合金层(g1)由包含Cu与至少一个添加金属元素的铜合金形成，添加金属元素包含Al，铜合金中的Al的含有量为2at％以上且为8at％以下。

公开(公告)号：CN109659311A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811177093.X

申请日：2018-10-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西宫节治 ,  大东彻 ,  今井元 ,  铃木正彦 ,  菊池哲郞 ,  上田辉幸 ,  原健吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 能够利用简单的步骤制造出能够应对显示图像的高分辨率的阵列基板。将阵列基板(1)设为具备叠层结构的构成，所述叠层结构包含：由旋涂玻璃材料构成的旋涂玻璃层(12)，配设于旋涂玻璃层(12)的下侧(液晶层的相反侧)的第一栅极布线(第一布线)(11)，以及以俯视阵列基板(1)时与第一栅极重叠的方式配设于旋涂玻璃层(12)的上侧(液晶层侧)的第二栅极布线(第二布线)。阵列基板(1)中，第一栅极布线(11)具有由铜构成的含铜层(M12)、及由钛构成的金属上层(M13)，金属上层(M13)叠层于含铜层(M12)的上侧且配置于含铜层(M12)与旋涂玻璃层(12)之间。

公开(公告)号：CN107112365A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070477.X

申请日：2015-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  大东彻 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41

Abstract: 半导体装置(100)具备基板(10)和薄膜晶体管(5)，其中，所述薄膜晶体管(5)由基板支撑，并包括栅极电极(12)、氧化物半导体层(18)、设置于栅极电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层(20)、以及与氧化物半导体层电性连接的源极电极(14)及漏极电极(16)，漏极电极具有向氧化物半导体层突出的形状，将薄膜晶体管的通道宽度方向上的氧化物半导体层的宽度设为宽度W1，与漏极电极的突出方向正交的方向上的所述漏极电极的宽度设为宽度W2的情况下，宽度W1和所述宽度W2之间满足|W1‑W2|≤1μm的关系，并且，宽度W1及宽度W2为大于等于3μm并小于等于6μm。

公开(公告)号：CN107004603A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064209.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。