公开(公告)号：CN106415801B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201580028517.4

申请日：2015-05-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 织田明博

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置(100)包括设置在基板上的薄膜晶体管(5)，该薄膜晶体管(5)具有栅极电极(12)、与栅极电极接触的栅极绝缘层(20)、隔着栅极绝缘层以与栅极电极部分地重叠的方式配置的氧化物半导体层(18)、源极电极(14)和漏极电极(16)，氧化物半导体层(18)包括：在从基板法线方向看时与栅极电极重叠的栅极相对区域(18g)；和与栅极相对区域相邻设置且在从基板法线方向看时与栅极电极、源极电极和漏极电极中的任一个都不重叠的偏移区域(18os、18od)，栅极相对区域的载流子浓度为1×1017/cm3以上1×1019/cm3以下。

公开(公告)号：CN109473071A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811038918.X

申请日：2018-09-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  织田明博 ,  宫本忠芳

IPC: G09G3/36

Abstract: 提供具备包含能具有高的驱动力的TFT的多路分配电路的有源矩阵基板。有源矩阵基板具备包含DMX电路用TFT的多路分配电路，各DMX电路用TFT具有由多个控制信号干线ASW、BSW中的1个控制信号干线供应控制信号的前栅电极(FG)和被供应与控制信号不同的背栅信号的背栅电极(BG)，与一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T1a、T1b)的背栅电极连接到供应第1背栅信号的第1背栅信号干线(BGL(1))，与另一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T2a、T2b)的背栅电极连接到供应与第1背栅信号不同的第2背栅信号的第2背栅信号干线(BGL(2))。

公开(公告)号：CN105144276A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480022504.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  小川康行 ,  织田明博 ,  富田雅裕

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1345 ,  G09G3/20 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/0944

CPC classification number: G09G5/10 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/022 ,  G09G2330/027 ,  H03K3/356026

Abstract: 本发明的一个方式的显示装置(100)具备：显示部(110)，其包括排列成矩阵状的多个像素部；扫描线驱动电路(120)，其具有用于驱动与构成上述显示部的像素部连接的扫描线的输出晶体管；以及显示控制电路(140)，其在显示期间将用于使上述显示部显示图像的信号提供给上述驱动部，在显示中止期间控制上述输出晶体管的偏置状态，使得在上述显示期间升高了的上述输出晶体管的阈值电压的绝对值减小。

公开(公告)号：CN104040724A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280066838.X

申请日：2012-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 织田明博

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：基板(1)、栅极电极(11)、栅极绝缘膜(12)、氧化物半导体层(13)、源极电极(14)、漏极电极(15)和保护膜(16)。氧化物半导体层的上表面和侧面被源极电极、漏极电极和保护膜覆盖，从基板面法线方向看时，从第一接触区域(13s)的外缘至源极电极的外缘的最短距离和从第二接触区域(13d)的外缘至漏极电极的外缘的最短距离分别为1.5μm以上4.5μm以下。