公开(公告)号：CN104067495A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201280067187.6

申请日：2012-12-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木原诚一郎 ,  仲岛明生

IPC: H02M1/08 ,  H03K17/06 ,  H03K17/687

CPC classification number: H02M3/157 ,  H02M1/08 ,  H03K17/063

Abstract: 驱动器电路包括：常导通型的第1以及第2晶体管(Q1，Q2)；第1控制电路(1)，响应于第1控制信号()而控制第1晶体管(Q1)；第2控制电路(2)，响应于第2控制信号()而控制第2晶体管(Q2)；电容器(4)，连接在第1控制电路(1)的第1以及第2电源节点(1c，1d)之间；电源(7)，连接在第2控制电路(2)的第3以及第4电源节点(2c，2d)之间；开关元件(5)，连接在第1以及第4电源节点(1d，2d)之间；以及第3控制电路(3)，在输出电压(VO)成为大约0V时使开关元件(5)导通。

公开(公告)号：CN107636824A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680021582.9

申请日：2016-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木原诚一郎

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

Abstract: 提供改善响应性能的横向型场效应晶体管。在横向型场效应晶体管(20)中，相较于齐纳二极管(5)，区块(17)配置成接近栅极端子(7)。

公开(公告)号：CN105144584B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201480011179.9

申请日：2014-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木原诚一郎

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/356 ,  H03K3/35613 ,  H03K19/00361 ,  H03K19/018507

Abstract: 本发明提供一种由噪声引起的误动作的可能性低的高可靠性的电平移位电路。电平移位电路(1)包括：反相输入信号和同相输入信号分别输入控制端子的第一电流控制元件和第二电流控制元件(12a、12b)；一端与高压侧电源端子(Vb)连接，另一端与第一电流控制元件和第二电流控制元件(12a、12b)各自的第一端子连接的第一负载电路和第二负载电路(13a、13b)；一对差分输入端子(Np、Nn)分别与第一电流控制元件和第二电流控制元件(12a、12b)各自的第一端子连接的比较器(14)；第一电流输出端子和第二电流输出端子(Na、Nb)与第一电流控制元件和第二电流控制元件(12a、12b)各自的第二端子连接，分别产生分别流入第一电流控制元件和第二电流控制元件(12a、12b)的电流的电流产生电路(3)；和与第一电流输出端子和第二电流输出端子(Na、Nb)分别连接或者与第一电流输出端子和第二电流输出端子(Na、Nb)一并连接，抑制第一电流输出端子和第二电流输出端子(Na、Nb)各自的电压上升的电压抑制电路(15a、15b)。

公开(公告)号：CN106464247A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580028111.6

申请日：2015-02-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木原诚一郎

IPC: H03K17/16 ,  H02M1/08 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/08128 ,  G06F13/385 ,  G06F13/4072 ,  G06F13/4081 ,  H03K3/014 ,  H03K17/0406 ,  H03K17/063 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/162 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明的驱动电路包括通常型晶体管(Q1、Q2)、控制晶体管(Q1、Q2)的控制电路(1、2)、连接于控制电路(1)的电源节点(1c、1d)间的电容器的电源(7)、连接于电源节点(1d、2d)间的MOSFET(16)、在输出电压VO为约0V时使MOSFET(16)导通的控制电路(3)和起动电路，该起动电路包含与电容器(4)并联连接的齐纳二极管(20)，即使MOSFET(16)截止也能够通过齐纳电压对电容器(4)充电。(4)、连接于控制电路(2)的电源节点(2c、2d)间

公开(公告)号：CN103843251B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280047567.3

申请日：2012-07-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木原诚一郎 ,  内海俊一

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/013 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356069 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/018507

Abstract: 提供了一种基于噪声的误动作的可能性低，并能低功率动作的电平移位电路。电平移位电路（1）具备：分别将与输入信号Sin同相及反相的信号作为栅极输入的第1及第2 MOSFET （12a、12b）；一端与移位电平电源端相连接，另一端分别与第1及第2 MOSFET的各漏极相连接的第1及第2电阻元件（13a、13b），所述移位电平电源端供给电平移位后的输出信号的高电平侧的输出电压；1对差分输入端分别连接到第1及第2 MOSFET的各漏极的比较器（14）；以及与输入信号的信号电平的上升及下降分别同步来控制经由第1电阻元件流过第1 MOSFET的第1电流的电流量和经由第2电阻元件流过第2 MOSFET的第2电流的电流量的电流控制电路（16）。

公开(公告)号：CN103843251A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280047567.3

申请日：2012-07-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木原诚一郎 ,  内海俊一

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/013 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356069 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/018507

Abstract: 本发明提供了一种基于噪声的误动作的可能性低，并能低功率动作的电平移位电路。电平移位电路（1）具备：分别将与输入信号Sin同相及反相的信号作为栅极输入的第1及第2MOSFET（12a、12b）；一端与移位电平电源端相连接，另一端分别与第1及第2MOSFET的各漏极相连接的第1及第2电阻元件（13a、13b），所述移位电平电源端供给电平移位后的输出信号的高电平侧的输出电压；1对差分输入端分别连接到第1及第2MOSFET的各漏极的比较器（14）；以及与输入信号的信号电平的上升及下降分别同步来控制经由第1电阻元件流过第1MOSFET的第1电流的电流量和经由第2电阻元件流过第2MOSFET的第2电流的电流量的电流控制电路（16）。

公开(公告)号：CN103168421A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201180050148.0

申请日：2011-07-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木原诚一郎 ,  仲嶋明生

IPC: H03K17/06 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/687 ,  H03K17/063 ,  H03K17/6871 ,  H03K2017/066 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明实现一种能在不另外设置绝缘电源的情况下向高压侧电路提供负栅极电压的栅极驱动电路。在第一晶体管(21)与第二晶体管进行串联连接的半桥电路中，驱动电路(1)包括：电容器(13)，该电容器(13)用于经由第一控制电路(11)将负栅极电压提供给高压侧的第一晶体管(21)；以及控制电路电源(14)，该控制电路电源(14)用于经由第二控制电路(12)将负栅极电压提供给低压侧的第二晶体管(22)，电容器(13)的一端经由开关元件(30)与控制电路电源(14)的-端子侧的负电压VEE相连接，另一端与输出端子(4)的电压相连接；对开关元件(30)进行控制，使其在第二晶体管(22)变为导通状态的时刻下导通。