公开(公告)号：CN110931507B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201910883506.4

申请日：2019-09-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉野光 ,  森永润一 ,  菊池哲郎 ,  原健吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1333

Abstract: 一种有源矩阵基板的制造方法，包含如下工序：在基板上形成氧化物半导体层、栅极绝缘层及栅极电极；形成具有源极侧开口部和漏极侧开口部的绝缘层；在源极侧开口部内形成源极电极，在漏极侧开口部内形成漏极电极；形成具有第1接触孔的层间绝缘层；在层间绝缘层上和第1接触孔内形成第1透明导电膜；在第1透明导电膜的一部分上使用金属膜形成上部配线部；进行第1透明导电膜的图案化，由此形成像素电极和下部配线部；形成具有第2接触孔的电介质层；以及在电介质层上和第2接触孔内形成共用电极，在从基板的法线方向观看时，第1接触孔的底面与漏极侧开口部的底面至少部分重叠，第2接触孔的底面与源极侧开口部的底面至少部分重叠。

公开(公告)号：CN110931508A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910883518.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森永润一 ,  吉野光

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 一种有源矩阵基板，具备构成周边电路的第1TFT和配置在各像素的第2TFT，第1TFT是顶栅或双栅TFT，第2TFT是底栅TFT，具有：岛状绝缘体层，其以在从基板的法线方向观看时与第2下部栅极电极的至少一部分重叠的方式配置在第2氧化物半导体层的一部分上；上部绝缘层，其配置在第2氧化物半导体层和岛状绝缘体层之上；以及源极电极，其配置在上部绝缘层上，第2氧化物半导体层中的与岛状绝缘体层不重叠的部分为电阻率比与岛状绝缘体层重叠的部分低的低电阻区域，在源极总线与栅极总线的交叉部中，下部绝缘层和上部绝缘层位于这些总线之间。

公开(公告)号：CN110931506A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910883505.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉野光 ,  森永润一

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

Abstract: 一种有源矩阵基板，具备：TFT，其分别配置于多个像素区域，包含氧化物半导体层(7)；层间绝缘层，其覆盖TFT；以及配置于层间绝缘层上的多个像素电极、包含多个共用电极部分的共用电极及多个第1配线，TFT的源极和漏极电极隔着上部绝缘层配置于氧化物半导体层上，源极电极和漏极电极分别在形成于上部绝缘层的源极侧开口部和漏极侧开口部内与氧化物半导体层电连接，还具备连接漏极电极与1个像素电极的第1接触部和连接1个共用电极部分与1个第1配线的第2接触部，在从基板的主面的法线方向观看时，第1接触部与漏极侧开口部至少部分重叠，第2接触部与配置于多个像素区域中的任意一个像素区域的TFT的源极侧开口部至少部分重叠。