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公开(公告)号:CN102473815A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080028595.1
申请日:2010-07-02
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种实现发光效率高、发出具有高演色性的光的发光装置。本发明所涉及的半导体发光装置(1)具备:发出蓝色光的半导体发光元件(2)、吸收该蓝色光来发出绿色光的绿色荧光体(14)、和吸收该蓝色光来发出橙色光的橙色荧光体(13),上述绿色荧光体(14)和橙色荧光体(13)所发出的荧光的发光光谱的峰值波长在540nm以上且565nm以下的范围,在设该峰值波长的发光强度为PI(MAX)、比该峰值波长长90nm的长波长下的发光强度为PI(90)时,满足下面的关系:0.70>PI(90)/PI(MAX)>0.55。
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公开(公告)号:CN103563107B
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201280026710.0
申请日:2012-04-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: F21V9/30 , C09K11/7728 , C09K11/7774 , F21K9/64 , F21Y2101/00 , H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种有效地提高了显色性的发光装置。发光装置(1)具备:光源(2),其射出规定波长处的强度成为最大的光;第一荧光体(黄色荧光体)(51),其吸收光源(2)所射出的光而射出比规定波长长的第一波长处的强度成为最大的荧光;和第二荧光体(红色荧光体)(52),其吸收光源(2)所射出的光而射出比第一波长长的第二波长处的强度成为最大的荧光。第二荧光体(52)在第一波长处的光吸收率的波长依赖性的绝对值为0.6%/nm以下。由此,能够有效地提高发光装置(1)所射出的光的显色性。
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公开(公告)号:CN106206911A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610341532.0
申请日:2016-05-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/44 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/56
Abstract: 本发明提供能够抑制量子点荧光体的劣化的发光装置等。发光装置(10)包括:发出蓝色光的发光元件(11);包含Mn4+激活氟络合物荧光体光体(13)的第二波长转换部件(19),第一波长转换部件与第二波长转换部件在空间上被分离。(12)的第一波长转换部件(17);和包含量子点荧
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公开(公告)号:CN101182414B
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN200710186804.5
申请日:2007-11-14
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 吉村健一
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明披露包含光学活性元素M的β-sialon荧光体和β-sialon荧光体的制备方法,由空气渗透法测得,所述β-sialon荧光体的比表面积不大于0.8m2/g,所述方法包括对包括金属性化合物粉末的混合物进行烧结的烧结步骤,其中所述混合物包括(A)包含光学活性元素M的金属性化合物粉末,和(B)由特定包覆化合物包覆的金属性化合物粉末。可得到由于杂相得以抑制而获得高发光效率的具有高度晶体均一性的β-sialon荧光体。所述荧光体优选应用于半导体发光装置和图像显示装置。
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公开(公告)号:CN102042549A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN201010508977.6
申请日:2010-10-12
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: F21V23/0442 , F21S41/14 , F21S41/16 , F21S45/10 , F21V9/30 , F21W2102/00 , F21Y2115/30 , H01S5/005
Abstract: 本发明提供了一种对人眼的安全性进行了改善的照明装置。该照明装置包括:用作发射激光的激发光源的半导体激光元件;荧光板,该荧光版包含用于发射目标颜色的光的荧光物质,并由从半导体激光元件发射的激光照射;光接收元件部,该光接收元件部检测从荧光板反射的光;和光源控制部,该光源控制部基于来自光接收元件部的检测信号控制从半导体激光元件发射的激光。
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公开(公告)号:CN111886930B
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN201880091588.2
申请日:2018-03-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种发光装置包括:阳极(610);阴极(660);多个发光层(420、602、430、603),其夹在所述阳极和所述阴极之间;以及光吸收层(450、550),其配置在从所述多个发光层到光取出面之间,所述多个发光层包括InP系量子点,并且至少发射绿光和红光,所述光吸收层选择性地吸收570~610nm的光。
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公开(公告)号:CN106479489B
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201610710945.1
申请日:2016-08-23
Applicant: 夏普株式会社 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/00 , C09K11/0883 , C09K11/57 , C09K11/616 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F1/133615 , G02F1/1337 , G02F2001/133614 , G02F2001/133624
Abstract: 本发明提供能够实现色再现范围宽广的图像显示装置的发光装置(10)和具备该发光装置的图像显示装置。发光装置(10)包括:发出蓝色光的发光元件(11);作为绿色荧光体(13)的Mn2+激活γ‑AlON荧光体;和作为红色荧光体(12)的Mn4+激活荧光体。Mn2+激活γ‑AlON荧光体发出的绿色光的发光光谱的峰值波长为518nm以上528nm以下。
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公开(公告)号:CN104871326A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201380068297.9
申请日:2013-12-19
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/02 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供如下发光装置:Eu活化β型赛隆荧光体的一次颗粒的50%面积平均直径为10μm以上,散射部件的从激励光源发出的激励光的峰值波长的散射概率为0.1mm-1以上0.5mm-1以下,Eu活化β型赛隆荧光体与散射部件一起以分散的状态被封入透明部件中。
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公开(公告)号:CN102376860A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201110215327.7
申请日:2011-07-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: C09K11/7734 , B82Y30/00 , C09K11/0883 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法,所述发光装置具备发出一次光的发光元件、和吸收一次光的一部分并发出二次光的波长变换部,波长变换部至少包含:含有纳米晶荧光体的第1波长变换部、和包含稀土类活化荧光体或过渡金属元素活化荧光体的第2波长变换部,发光元件上是第1波长变换部、第2波长变换部依次邻近层叠。
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公开(公告)号:CN101752491A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910259036.0
申请日:2009-12-09
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/504 , G02B6/0023 , G02B6/0073 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置和包括所述半导体发光装置的图像显示器。本发明的半导体发光装置包括半导体发光器件、发射绿光的绿色荧光体和发射红光的红色荧光体。所述绿色荧光体是稀土活化的无机荧光体,而所述红色荧光体是半导体粒子荧光体。在所述红色荧光体的吸收光谱的局部最小值处的各个波长和所述绿色荧光体的发射光谱的峰值波长之间的各个差值之中的最小值为不大于25nm。
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