知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

19 records (took 0.031 seconds)

    半导体发光器件
    11.
    发明公开
    半导体发光器件 失效 转让

    公开(公告)号：CN1160937A

    公开(公告)日：1997-10-01

    申请号：CN96108527.4

    申请日：1996-07-31

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 中村淳一 ,  中津弘志

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/14

    Abstract: 一种半导体发光器件包括：第一导电型的化合物半导体衬底；在此衬底上形成的多层结构，它至少包括发光用的活性层，活性层插在第一导电类型的下覆盖层和第二导电型的上覆盖层之间；在多层结构上形成的第二导电类型的中间层；以及在中间层上形成的第二导电类型的电流扩散层。中间层可减少上覆盖层和电流扩散层之间的至少一个晶格错位，和减少结形成前在上覆盖层和电流扩散层之间显示的能带图中导带底和/或价带顶能级的差。

    光电转换元件、光电转换模块以及太阳光发电系统
    12.
    发明授权
    光电转换元件、光电转换模块以及太阳光发电系统 有权

    公开(公告)号：CN105659389B

    公开(公告)日：2018-10-19

    申请号：CN201480058683.4

    申请日：2014-10-24

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  稗田健 ,  中村淳一

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

    Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层(20n)具有第1导电类型。第2半导体层(20p)具有与第1导电类型相反的第2导电类型。第1电极(22n)形成于第1半导体层(20n)上。第2电极(22p)形成于第2半导体层(20p)上。第1电极(22n)以及第2电极(22p)中的至少一方的电极包括多个金属晶粒。电极的面内方向上的金属晶粒的平均晶体粒径大于电极的厚度。

    半导体发光元件
    15.
    发明授权
    半导体发光元件 失效 转让

    公开(公告)号：CN100376042C

    公开(公告)日：2008-03-19

    申请号：CN200410090000.1

    申请日：2004-10-28

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 金子和昭 ,  梅田浩 ,  佐佐木和明 ,  中村淳一

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

    Abstract: 一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由中央区域部分(8a)和从该中央区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述中央区域部分(8a)。

    光扫描装置
    16.
    发明授权
    光扫描装置 失效

    公开(公告)号：CN100365466C

    公开(公告)日：2008-01-30

    申请号：CN200610005477.4

    申请日：2006-01-12

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 野崎义明 ,  中村淳一 ,  中山信一

    IPC: G02B26/10

    CPC classification number: G02B26/085 ,  G02B26/105

    Abstract: 本发明公开一种光扫描装置。将光从发光元件(22B)朝着可绕轴线(L2)进行角变位的扫描反射镜(11)的厚度方向的表面(31)出射。第一和第二受光部(14A，14B)的至少其中一方，接受从发光元件(22B)出射并被反射反射镜(50B)反射的光。第一和第二受光部(14A，14B)以及信号输出部(24)，输出包含表示接受所述光的位置的位置信息的电信号。该位置信息，表示扫描反射镜(11)的角变位量，驱动部(21)基于该位置信息来使扫描反射镜(11)扫描，并能够使从第一光源(12)出射的光照射在预定的照射位置上。

    半导体发光元件
    18.
    发明公开
    半导体发光元件 失效 转让

    公开(公告)号：CN1612368A

    公开(公告)日：2005-05-04

    申请号：CN200410090000.1

    申请日：2004-10-28

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 金子和昭 ,  梅田浩 ,  佐佐木和明 ,  中村淳一

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

    Abstract: 一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由中央区域部分(8a)和从该中央区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述中央区域部分(8a)。

    电源系统
    19.
    发明公开
    电源系统 无效

    公开(公告)号：CN1604426A

    公开(公告)日：2005-04-06

    申请号：CN200410085133.X

    申请日：2004-09-30

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 中村淳一 ,  河村政宏 ,  冈田丰 ,  森本毅

    IPC: H02J17/00

    CPC classification number: G06F1/26 ,  H02J5/005 ,  H02J7/0068 ,  H02J7/025 ,  H02J50/10 ,  H02J50/60 ,  H02J50/80 ,  H02J50/90

    Abstract: 根据本发明的电源系统包括：初级端线圈；具有初级端电路的功率输送装置，用于将脉冲电压输送到初级端线圈，由开关通过整流和平滑商用电源获得的DC电压产生脉冲电压；次级端线圈，磁耦合到初级端线圈；以及具有次级端电路的功率接收设备，用于整流和平滑在次级端线圈两端感应的感应电压；其中，提供用于根据功率接收设备所需的功率，调节将传送的功率的电平的功率调节部件。功率调节部件在初级端电路中具有载波振荡电路，用于将载波提供到初级端线圈、用于解调从次级电路传送的并由初级端线圈接收的调制信号的解调电路、以及用于根据来自功率接收部件并由解调电路解调的信息信号，选择将输送的功率的电平的功率转换部件。功率调节部件在次级端电路中具有用于通过来自功率接收设备的信息信号，调制从载波振荡电路馈送并由次级端线圈接收的载波并传送所调制的信号的调制电路。

Patent Agency Ranking