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公开(公告)号:CN105850419A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610210687.0
申请日:2016-04-06
Applicant: 上海市园林科学规划研究院
IPC: A01G1/00
CPC classification number: A01G22/00
Abstract: 本发明一种人工恢复盐沼植被的方法,先人工培育盐沼植被的步骤;待种苗株高15~20cm后,开始移植;将盐沼植被种植于一个定植器具中,再种植于湿地或者滩涂,所述的定植器具包括一个筒体,筒体的上、下端开口,筒体的高度在18~25cm之间,筒体的下端设置有一个插板,筒体的侧壁上设置有复数个通孔,通孔设置在距离筒体的顶端5~20cm之间的区域内。将盐沼植被种植于本发明装置的筒体内,再将筒体和插板垂直并完全种植于潮间带沉积物内,筒体上端与沉积物表面等高,加固了盐沼植被在潮间带的种植,提高了盐沼植被恢复种植时的抗潮汐冲刷能力,有助于盐沼植被的定植生长,提高了盐沼植被的成活率和繁殖能力。
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公开(公告)号:CN211927382U
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN202020743989.6
申请日:2020-05-08
Applicant: 上海市园林科学规划研究院
Abstract: 一种表层水样采集器,该采集器包括采集器主体和安装在采集器主体上部的浮子,采集器主体为容器,浮子的侧部设置有若干断口,断口处的采集器主体上设置有若干上进水孔和若干设置在上进水孔下方的下进水孔,在上进水孔和下进水孔内均安装有过滤网;在采集器主体的顶部设置有通气孔,在采集器主体的下部设置有出水孔,出水孔上安装有控水阀;采集器主体的下部还固定安装有配重块,采集器主体的底部还安装有底座。该采集器具有结构简单、使用方便等特点,通过浮子控制采集器主体在水层的深度,高效的采集表层水样样本,提高表层水样采集质量;同时,通过过滤网可以减少表层水样中大颗粒物质对水样采集的干扰,提高采集效率。
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公开(公告)号:CN205454892U
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201620279562.9
申请日:2016-04-06
Applicant: 上海市园林科学规划研究院
IPC: A01G9/02
Abstract: 本实用新型一种用于人工恢复盐沼植被的定植器具,包括一个筒体,所述的筒体的上、下端开口,所述的筒体的高度在18~25cm之间,所述的筒体的直径在8~10cm之间,所述的筒体的下端设置有一个插板,所述的插板的高度在20~30cm之间,所述的筒体的侧壁上设置有复数个通孔,通孔个数不少于30个,所述的通孔设置在距离筒体的顶端5~20cm之间的区域内。将海三棱藨草等盐沼植被种植于本实用新型装置的筒体内,再将筒体和插板垂直并完全种植于潮间带沉积物内,筒体上端与沉积物表面等高,加固了盐沼植被在潮间带的种植,提高了盐沼植被恢复种植时的抗潮汐冲刷能力,有助于盐沼植被的定植生长,提高了盐沼植被的成活率及扩散繁殖能力。
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公开(公告)号:CN214426996U
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN202120058589.6
申请日:2021-01-11
Applicant: 上海市园林科学规划研究院
IPC: G01N1/04
Abstract: 本实用新型提供了沉水植物取样器,包括固定杆,固定杆端部设有铰接的两个相互铰接杆,固定杆内部设有可滑动的驱动杆,驱动杆端部固设有铰接座,铰接座与铰接杆之间设有连杆,连杆一端与铰接座铰接,另一端与铰接杆铰接;操作驱动杆在固定杆内滑动,以使连杆带动两个铰接杆开合。采用固定杆和采样钳通过伸缩杆铰接连接,拉动驱动柄和手柄使固定杆移动,固定杆在铰接座的作用下带动铰接杆时采样钳闭合,从来采取沉水植株。该取样器操作简单省力,伸缩杆和铰接杆螺纹连接,拆卸方便,加减伸缩杆可适用于不同水深取样,方便工作人员拆卸安装,调节驱动柄和固定杆的距离,可控制采样钳的开合面积,方便定量采集,适合推广使用。
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公开(公告)号:CN109148593B
公开(公告)日:2020-09-01
申请号:CN201810775365.X
申请日:2018-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域,具体为一种三元p型CuBi2O4薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术在热氧化SiO2基片上制备p型CuBi2O4沟道层,源漏电极采用Au、Ni、Cu或ITO电极,形成具有一定p型调制功能的底栅结构型TFT器件。本发明制备的CuBi2O4沟道层具有稳定的p型半导体特性,器件结构简单且制备工艺与微电子兼容,在OLED显示以及透明电子电路中具有广阔的工业应用前景。
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公开(公告)号:CN102779758B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201210257327.8
申请日:2012-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域,具体为一种以铟锌铝氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法。该方法以铝掺杂铟锌氧化物获得铟锌铝氧化物半导体薄膜,改善铟锌氧化物半导体沟道层的性能。本发明利用一种成本低廉、工艺简单、大面积制备容易的浸渍提拉法工艺制备了表面平整、厚度均一而致密的铟锌铝氧化物薄膜,并将其应用于氧化物薄膜晶体管制备中。所制备的薄膜晶体管器件综合性能优良,具有较高饱和迁移率26.8 cm2/Vs,较低亚阈值摆幅0.24 V/decade,开关比大于104。
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公开(公告)号:CN102779758A
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201210257327.8
申请日:2012-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域,具体为一种以铟锌铝氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法。该方法以铝掺杂铟锌氧化物获得铟锌铝氧化物半导体薄膜,改善铟锌氧化物半导体沟道层的性能。本发明利用一种成本低廉、工艺简单、大面积制备容易的浸渍提拉法工艺制备了表面平整、厚度均一而致密的铟锌铝氧化物薄膜,并将其应用于氧化物薄膜晶体管制备中。所制备的薄膜晶体管器件综合性能优良,具有较高饱和迁移率26.8cm2/Vs,较低亚阈值摆幅0.24V/decade,开关比大于104。
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公开(公告)号:CN102768945A
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN201210240746.0
申请日:2012-07-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体薄膜制备技术领域,具体为一种溶胶凝胶法制备氧化铟镓锌(IGZO)半导体薄膜的低温处理方法。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂,单乙醇胺为稳定剂,将In(NO3)3·4.5H2O、Ga(NO3)3·4.5H2O、Zn(C2H3O2)2·5H2O溶解其中,形成澄清稳定前驱体溶液;将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上,在红外加热灯下照射得到平整透明的IGZO半导体薄膜。与传统溶胶凝胶法利用热板退火制备IGZO薄膜相比,利用红外加热灯照射的IGZO薄膜具备更优良的半导体及光学性能,且工艺温度更低,小于250℃。以此IGZO薄膜作为沟道层材料的薄膜晶体管,开关电流比大于5×106,饱和迁移率大于1.8cm2/Vs,亚阈值摆幅小于2.2V/dec。
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公开(公告)号:CN102121335B
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201110053293.6
申请日:2011-03-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子锁技术领域,具体涉及一种基于随机数开锁的蓝牙电子锁系统。系统分为钥匙和锁两部分。钥匙是带有蓝牙功能的智能手机;锁包括电源转换、单片机、蓝牙收发模块、LCD液晶显示器、GPRS模块、电子锁具。钥匙端和锁端通过蓝牙进行通信,发送开锁数据;锁和钥匙之间传输的数据是由锁端产生的随机数。与以往的蓝牙电子锁系统相比,通过锁端产生的随机数以及此随机数仅使用一次的特点,增加了非法开锁的难度和成本。随机数由锁端产生,用户以安全方式获得并保存以便下次使用;一旦发生手机遗失盗取等情况,用户可以通过GPRS模块与锁进行联系,取消原开锁的随机数,并产生及获取新的随机数。该系统具有简单、安全的特性。
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公开(公告)号:CN101599437B
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN200910055286.2
申请日:2009-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明属薄膜晶体管技术领域,涉及薄膜晶体管的制备方法,包括步骤:采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材,在室温条件下用磁控溅射技术在基板上生长具有透明非晶结构的铟锌氧化物半导体薄膜,形成薄膜晶体管的沟道层;采用热蒸发法在沟道层上制备源电极和漏电极;采用提拉或旋涂法在源电极和漏电极上面覆盖一层聚乙烯吡咯烷酮有机溶液制成的有机介质层薄膜;并采用热蒸发法在有机介质层薄膜上制备栅电极。所述靶材中的In∶Zn的原子比为0.5至5.0。本方法可制备具有良好电子光学性能的新型透明薄膜晶体管,其制备温度低,工艺简单,有利于大面积生产,具有广泛的应用前景。
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