一种Au/Ni-BHT异质结导电MOFs薄膜材料及其可控制备方法

    公开(公告)号:CN112679764A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011420476.2

    申请日:2020-12-08

    Abstract: 本发明公开了一种Au/Ni‑BHT异质结导电MOFs薄膜材料及其可控制备方法。其制备方法如下:先将切好的硅片清洗干净后蒸镀金电极;接着配制六巯基苯/氯代苯溶液、不同浓度比的金和镍的金属盐的混合水溶液;随后将带金电极的硅片放到匀胶机上,先滴加金属盐的混合水溶液,后滴加六巯基苯/氯代苯溶液,并确保将下层的金属盐的混合水溶液完全覆盖,静置1~3分钟,再启动匀胶机旋转硅片,将硅片表面剩余的溶液甩飞;最后将硅片放到真空烘箱中干燥,即得到表面平整的Au/Ni异质结导电MOFs薄膜。本发明得到的薄膜表面连续且平整,导电性好,拓宽了薄膜应用领域。

    一种制备Ag-BHT单晶纳米线的方法

    公开(公告)号:CN110983444A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911068102.6

    申请日:2019-11-05

    Inventor: 王帅 陈欣 吴凡

    Abstract: 本发明属于功能材料技术领域,具体为一种制备Ag-BHT单晶纳米线的方法。本发明方法包括,在反应体系的下层加入六巯基苯氯代苯溶液,在反应体系的上层加入硝酸银乙醇溶液;利用银离子在乙醇中的溶解性好于在氯代苯中的溶解性的特点,在上层溶液中的银离子缓慢向下扩散的过程中,银离子与六巯基苯反应,进而得到Ag-BHT单晶纳米线。本发明方法操作简单,制备条件温和,制备的Ag-BHT单晶纳米线性能优良;可拓宽MOFs单晶薄膜在场效应晶体管领域的应用。

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