公开(公告)号：CN105893644A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410771314.1

申请日：2014-12-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曾璇 ,  陆伟成 ,  周海 ,  严昌浩 ,  杨运峰

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明属于集成电路半导体制造技术领域，涉及一种电子束和双重图案光刻工艺中版图图案分解的方法。本发明将同时最小化电子束使用面积和缝合点数目的版图图案分解问题表示成删点两划分问题；所述方法包括：根据输入版图文件和冲突距离B，构建含虚拟点的冲突图G；将平面化后的冲突图上删点两划分问题转化为奇数环覆盖问题；用primal-dual方法求解奇数环覆盖问题；后处理剩余冲突边。本方法可行性高，能够在合理的时间内获得优于传统两阶段方法的求解结果，可用于解决大规模版图的图案分解问题。

公开(公告)号：CN104346490A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310347294.0

申请日：2013-08-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曾璇 ,  陆伟成 ,  周海 ,  严昌浩 ,  张业

IPC: G06F17/50 ,  G06F9/44

Abstract: 本发明属半导体光刻工艺可制造性设计领域，具体涉及一种三重曝光光刻工艺的版图图案分解方法。先采用矩形扩展的方法构建冲突图；然后随机产生三着色初始解，每轮优化分别依次固定一种颜色，对剩余二种颜色的冲突子图利用双重曝光图案分配方法进行双着色优化，重复迭代优化过程，直到当前最优解若干次未发生更新；最后反复调用上述步骤多次并从中挑选最优的三着色结果作为输出。本发明采用已有的双重曝光图案分配方法，采用多次计算选其最优的策略，寻找全局最优解，达到为三重曝光光刻工艺分配版图图案的目的。