公开(公告)号：CN103723674A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310481578.9

申请日：2013-10-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张立伦 ,  G·科恩 ,  M·A·古罗恩 ,  E·莱奥班顿 ,  刘菲 ,  G·G·沙希迪

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及MEMS晶体管及其制造方法。公开了用于CMOS集成电路的FBEOL层级的MEMS晶体管。该MEMS晶体管包括集成电路内的腔。具有两端的MEMS悬臂开关被设置在该腔中且在两端中的至少一端被锚定。栅极和漏极位于该腔的侧壁中且与MEMS悬臂开关分隔开一间隙。响应于施加到栅极的电压，MEMS悬臂开关在与CMOS集成电路的FBEOL层级的平面平行的方向上移动跨过该间隙而与漏极接触，以允许电流在源极和漏极之间流动。也公开了制造MEMS晶体管的方法。根据该方法，在与CMOS集成电路的远后端制程（FBEOL）层级平行的平面中在FBEOL层级上构造MEMS悬臂开关、栅极和漏极。通过牺牲材料将MEMS悬臂开关与栅极和漏极分隔开，该牺牲材料最终被去除以释放MEMS悬臂开关且在MEMS悬臂开关与栅极和漏极之间提供间隙。

公开(公告)号：CN111095568A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059199.1

申请日：2018-09-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·莱奥班顿

IPC: H01L29/786

Abstract: 垂直晶体管器件包括层堆叠，其垂直堆叠并且包括源极层、漏极层以及在源极层和漏极层之间的沟道层。在与沟道层共同的平面上形成栅极电极，并且在栅极电极和沟道层之间垂直地形成栅极电介质。第一触点在层堆叠的第一侧上与层堆叠接触，并且第二触点在与第一触点垂直的相反侧上形成。

公开(公告)号：CN104733472B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410709261.0

申请日：2014-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  郑政玮 ,  Y-H·金 ,  小林雅治 ,  E·莱奥班顿 ,  朴大奎 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L21/308 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/16 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供含锗鳍与化合物半导体鳍的集成。在绝缘体层上形成含锗层和电介质帽层的叠层。该叠层被图案化以形成含锗半导体鳍和其上具有电介质帽结构的含锗芯结构。电介质掩蔽层被沉积和图案化以掩蔽含锗半导体鳍，同时使所述含锗芯结构的侧壁物理暴露。通过选择性外延化合物半导体材料，在每个含锗芯结构的周围形成环形化合物半导体鳍。每个含锗芯的中心部可被去除以使所述环形化合物半导体鳍的内侧壁物理暴露。可在所述环形化合物半导体鳍的物理暴露表面上形成高迁移率化合物半导体层。电介质掩蔽层和鳍帽电介质可被去除以提供含锗半导体鳍和化合物半导体鳍。

公开(公告)号：CN105826361A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610034267.1

申请日：2016-01-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·莱奥班顿

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的实施例包括用于制造半导体器件和产生的结构的方法。该方法包括提供衬底。该方法包括在衬底上形成鳍片。该方法包括在鳍片和衬底上形成虚拟栅极。该方法包括蚀刻没有位于虚拟栅极下方的鳍片的部分。该方法包括在鳍片的暴露侧面上外延形成掺杂的源极和漏极区域。该方法包括在虚拟栅极的暴露侧面上形成绝缘间隔物。该方法包括形成与掺杂的源极和漏极区域邻近的一个或多个金属区域。