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公开(公告)号：CN103489919A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310334981.9
申请日：2009-04-10
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/45 , H01L27/12 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L27/0883 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/458 , H01L29/78654 , H01L29/78696
Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于电源电压的偏差。
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公开(公告)号：CN102017161B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200980115221.0
申请日：2009-04-10
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
IPC: H01L29/786 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L27/0883 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/458 , H01L29/78654 , H01L29/78696
Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于由电源电压所决定的偏差。
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公开(公告)号：CN101490823B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200780026534.X
申请日：2007-07-12
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/02057 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/823807 , H01L21/823835 , H01L21/82385 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/518 , H01L29/785 , H01L2029/7857
Abstract: 在遮光的状态下，在氮气环境中，通过用加氢超纯水洗净硅表面，实现峰谷(P-V)值在0.3nm以下的平坦度，同时通过使电极和硅之间的功函数差在0.2eV以下，实现接触电阻在10-11Ωcm2以下。由此，可以得到能够以10GHz以上的频率动作的半导体装置。
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公开(公告)号：CN110392936B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201780088206.6
申请日：2017-01-10
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L31/068
Abstract: 本发明的课题之一在于提供一种太阳能电池，不受或实质上不易受UV光的照射历史记录的影响，不存在或实质上不存在使用寿命的劣化。一种将特定条件下的UV劣化防止层设置为层结构要素之一的太阳能电池。UV劣化防止层以使有助于半导体极性的半导体杂质在该UV劣化防止层的层厚方向上进行浓度分布并且在该UV劣化防止层的内部具有浓度分布的极大值(CDMax)的方式含有该半导体杂质，该UV劣化防止层的层厚(d1+d2)在2nm～60nm的范围内，极大值(CDMax)19 3在以下范围内，1×10 个/cm≤极大值(CDMax)≤4×1020个/cm3···式(1)；极大值(CDMax)的半值(b1)的位置位于从UV劣化防止层的光入射侧的表面起的深度位置(A1)处，该深度位置(A1)在极大值(CDMax)的深度位置(A0)
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公开(公告)号：CN116847784A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280014686.2
申请日：2022-02-14
Applicant: 日本瑞翁株式会社 , 国立大学法人东北大学 , 古河电气工业株式会社
IPC: A61B5/1455
Abstract: 本发明提供生物体信息测量装置(10)，不需要多个阶段的发光和受光，能够通过一次发光和受光取得用于得到测量对象的生物体信息的信息和高精度的参考两者，测量生物体信息。生物体信息测量装置(10)，具有：光源(11)，其照射光；传感器(图像传感器)(13)，其具有在二维面内配置为阵列状的多个像素，饱和电荷数为100万个以上，所述多个像素接收由光源(11)照射的光在生物体内透射、反射或散射的光，输出与接收的光的光量相应的信息；特定部位选择部(14a)，其基于由传感器(13)得到的信息，选择作为生物体信息的测量对象的测量对象部位和与测量对象部位不同的参考部位；以及生物体信息取得部(14b)，其将参考部位的由传感器(13)得到的信息用作参考，根据测量对象部位的由图像传感器得到的信息取得生物体信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110679141B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201880035324.5
申请日：2018-04-23
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H04N5/3745 , G01J1/46 , H01L27/146 , H01L31/10
Abstract: 提供兼顾实现了高饱和性能和高灵敏度性能的受光设备。具有受光像素，该受光像素具备：受光元件；第一电容元件(1)，其蓄积通过该受光元件接收光而产生的光电荷；第二电容元件(2)，该电容元件(1)中蓄积的光电荷的量的一部分被传输并蓄积到该第二电容元件(2)；开关单元(S)，其用于进行从所述电容元件(1)向所述电容元件(2)传输光电荷的光电荷传输动作的开启或关闭；复位用开关单元(R)，其用于将所述电容元件(1)和所述电容元件(2)复位；像素选择用开关单元(X)；以及源极跟随开关单元(SF)，其中，所述电容元件(1)的有效饱和电容(1)是所述电容元件(2)的有效饱和电容(2)的10倍～5000倍。
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公开(公告)号：CN112352164A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980043486.8
申请日：2019-08-08
Applicant: 国立大学法人东北大学 , OHT株式会社
Abstract: 电容检测区域传感器将多个电容传感器元件配置成二维阵列状，呈任意的形状，并与外部电极电容耦合。向外部电极供电具有电位差的检查信号。针对所选择的与外部电极电容耦合的电容传感器元件，在上述检查信号的第一信号时和第二信号时的定时从上述电容传感器元件获取第一传感器输出信号、第二传感器输出信号。生成将所获取到的第一传感器输出信号、第二传感器输出信号取差分而得的差分信号，并基于差分信号的电平来生成以不同的颜色或者不同的灰度表示外部电极的形状的图像。
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公开(公告)号：CN106133924B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201480077744.1
申请日：2014-03-31
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 提供一种能够以简单的构造来高精度且恰当地测量对人体有害的紫外光的照射量、还能够容易进行与周边电路的传感器的一体制作、小型/轻量且低成本、适于携带(mobile)或者穿戴(wearable)的紫外光用固体受光器件。具备第一光电二极管(1)和第二光电二极管(2)、以及被输入基于来自这些光电二极管(1、2)的输出的各个信号的差动电路，在上述光电二极管(1、2)内和设置在各光电二极管上的半导体层区域中，分别设置半导体杂质的最大浓度位置。
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公开(公告)号：CN106133924A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201480077744.1
申请日：2014-03-31
Applicant: 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G01J1/429 , G01J1/1626 , H01L27/142 , H01L27/1443 , H01L31/09 , H05K999/99 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种能够以简单的构造来高精度且恰当地测量对人体有害的紫外光的照射量、还能够容易进行与周边电路的传感器的一体制作、小型/轻量且低成本、适于携带(mobile)或者穿戴(wearable)的紫外光用固体受光器件。具备第一光电二极管(1)和第二光电二极管(2)、以及被输入基于来自这些光电二极管(2)的输出的各个信号的差动电路，在上述光电二极管(1、2)内和设置在各光电二极管上的半导体层区域中，分别设置半导体杂质的最大浓度位置。
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公开(公告)号：CN101490849A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026588.6
申请日：2007-07-12
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/28202 , H01L29/518 , H01L29/78654 , H01L29/78696
Abstract: 一种积累型晶体管，沟道区半导体层的杂质浓度高于2×1017cm－3，从而能够承受更大的栅极电压摆幅。
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