公开(公告)号：CN119882283A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510124219.0

申请日：2025-01-26

Applicant: 国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司

Inventor： 刘敬伟 ,  张彦乐 ,  李春龙 ,  周良 ,  李超 ,  蔡丰任 ,  花晓强

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明提供了一种铌酸锂调制器件及其制备方法，涉及电光调制器件技术领域，所述铌酸锂调制器件的制备方法包括：在波导衬底的波导结构两侧分别制备形成金属沉积槽，在所述金属沉积槽内沉积金属电极；在所述金属沉积槽内填充金属保护介质，以通过所述金属保护介质将所述金属电极完全覆盖；在形成所述金属电极后的所述波导衬底上键合铌酸锂衬底，获得所述铌酸锂调制器件。本发明通过刻蚀氧化硅开槽的方式制备金属电极沉积槽，在金属电极沉积槽中制备金属电极结构，优化了铌酸锂衬底和波导衬底异质集成后制备金属电极时与CMOS工艺不兼容的缺陷，同时避免了低温制备波导结构，降低了波导结构的光学损耗，提高了铌酸锂调制器件的性能。

公开(公告)号：CN119828367A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510124229.4

申请日：2025-01-26

Applicant: 国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司

Inventor： 刘敬伟 ,  周良 ,  李春龙 ,  李超 ,  张彦乐 ,  蔡丰任 ,  花晓强

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G03F1/80

Abstract: 本申请提供了一种复合波导结构及其制备方法，属于电光调制器技术领域，包括第一波导晶圆和波导薄膜，第一波导晶圆包括第一衬底、钝化层以及钝化层内的第一波导结构和金属电极，第一波导结构两侧设置金属电极，第一波导结构上侧覆盖有第一波导包层，金属电极的上侧设有第一焊盘孔；波导薄膜包括第二衬底、设置在第二衬底上的埋氧层以及设置在埋氧层上侧的第二波导结构，第二波导结构的两侧设有第二焊盘孔，第二波导结构上侧覆盖有第二波导包层，第二波导包层与第一波导包层相键合，第二波导结构位置与第一波导结构位置相对应，第二焊盘孔位置与第一焊盘孔位置相对应。本申请提高了W2W异质集成方式同CMOS工艺的兼容性。

公开(公告)号：CN119828363A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510124213.3

申请日：2025-01-26

Applicant: 国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司

Inventor： 刘敬伟 ,  李超 ,  李春龙 ,  周良 ,  蔡丰任 ,  张彦乐 ,  花晓强

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明提供了一种异质集成电光调制器件及其制备方法，方法包括：在衬底上依次形成下包层和波导芯层，对波导芯层图形化形成波导芯，形成第一键合介质层，将波导芯和下包层覆盖；在波导芯的两侧形成凹槽，形成金属层，将凹槽和第一键合介质层覆盖，在形成的金属凹槽内形成图形化的第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行灰化，以灰化后的第一光刻胶层为掩模，通过干法刻蚀图形化金属层，再去除第一光刻胶层，形成电极；在电极上形成图形化的第二光刻胶层，湿法刻蚀去除凹槽内残留金属层，再去除第二光刻胶层；在凹槽内填充第二键合介质层，在第一键合介质层和第二键合介质层的表面形成电光材料层。本发明可以兼顾低的光传播损耗和高的CMOS工艺兼容性。

公开(公告)号：CN119644614A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202510042200.1

申请日：2025-01-10

Applicant: 国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司

Inventor： 刘敬伟 ,  蔡丰任 ,  李春龙 ,  周良 ,  李超 ,  张彦乐 ,  花晓强

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种压电‑热光复合调制器及其制备方法，压电‑热光复合调制器包括：硅光集成电路结构，包括衬底层及位于衬底层一侧的波导芯；热光调制结构，位于波导芯背向衬底层的一侧；热光调制结构包括加热定值电阻和热光电极；加热定值电阻的位置与波导芯的位置相对应；热光电极连接加热定值电阻；压电调制结构，位于波导芯背向衬底层的一侧；压电调制结构包括层叠的第一压电电极、压电薄膜材料层和第二压电电极；压电薄膜材料层的位置与波导芯的位置相对应；第一压电电极还延伸至压电薄膜材料层的侧部。与相关技术相比，本发明可以同时实现压电调制和热光调制，降低π相移调节的驱动电压，提高调制速度。