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公开(公告)号：CN112821882B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202011614038.X
申请日：2020-12-30
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K3/3565
Abstract: 本发明提供的可切换工作点的高性能施密特触发器，涉及半导体集成电路设计领域，包括正向阈值调节模块、负向阈值调节模块和选通信息号模块，通过选通信号模块，能够在两种工作点之间的切换，既能够保证电路的多信号兼容能力，也能够保证在各个工作点保持良好的抗干噪声扰能力。
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公开(公告)号：CN109739678A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910022567.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: G06F11/07 , G06F13/28 , G06F15/163
Abstract: 本发明提供的基于寄存器间通信的减少冗余读取方法，属于计算机技术领域，包括从核集群中一个y方向的m个从核分别从存储在DMA中的待计算数据点集的y方向中读取数据；若从核n的相邻从核读取的数据中包含有其y方向的边界数据，则不从DMA中读取被相邻从核包含的y方向的边界数据；从核n与相邻从核通过寄存器通信得到其y方向的边界；从核n从相邻从核读取其边界数据；其中，从核集群中y方向上的从核的个数为m。该发明降低了直接从DMA中读取数据的数据量，减轻了数据计算中的冗余读取的部分，避免了数据浪费，提高了DMA带宽的利用率。
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公开(公告)号：CN108965012A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810825747.9
申请日：2018-07-25
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H04L12/24 , H04L12/741 , H04L12/751
Abstract: 本发明通过先统筹排列再按顺序分时传输的方法对需要传输的任务进行传输，通过任务路径确定方法、路径确定策略及转置已确定任务策略将逻辑行列互连网络传输效率问题转化为时空互斥条件下的时间层最小化问题或者是各时间层内并发度最大化问题，相较传统传输模式，充分利用空闲节点，最大化填充网络，大幅度提升传输并发度，大幅提高传输效率，有效地缓解了传输不平衡问题及有效避免了拥堵和死锁的发生。
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公开(公告)号：CN112953488B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110194318.8
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，涉及侧驱动电路，通过对输入信号进行降频，高压侧的RC倍频电路实现固定脉宽信号的倍频，整个过程没有增加单路LDMOS功率晶体管的开关频率，有效的降低了高侧电平移位电路的功耗。
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公开(公告)号：CN112865782B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110193663.X
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112953488A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110194318.8
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，涉及侧驱动电路，通过对输入信号进行降频，高压侧的RC倍频电路实现固定脉宽信号的倍频，整个过程没有增加单路LDMOS功率晶体管的开关频率，有效的降低了高侧电平移位电路的功耗。
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公开(公告)号：CN108920288B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810716672.0
申请日：2018-07-03
Applicant: 国家超级计算无锡中心
Abstract: 本发明提供的基于有向无环图模型的寄存器级从核消息传递方法，提出一种从源从核至目标从核消息传递的有向无环图模型，防止互锁，同时能够避免寄存器被占满的情况发生，从根本上克服了消息传递时可能存在的互锁情况，使用最小步数完成消息传递，实现了可靠高效的寄存器级消息传递。
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公开(公告)号：CN112865782A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110193663.X
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。
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公开(公告)号：CN215120759U
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202120382750.5
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/003 , H03K19/0175
Abstract: 本实用新型提出了一种基于延时自锁定的噪声抑制高压电平移位电路，通过合理设置噪声信号的锁定脉冲宽度，能够有效的抑制噪声信号的传播路径，同时不影响正常工作信号的传播；且其电路结构与所用模块简单、占用面积小，具有较高的可靠性与应用价值。
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公开(公告)号：CN215120762U
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202120383322.4
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本实用新型提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。
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