公开(公告)号：CN215120762U

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202120383322.4

申请日：2021-02-20

Applicant: 国家超级计算无锡中心

Inventor： 刘天奇 ,  蔡畅 ,  陈更生 ,  杨广文 ,  甘霖

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/003

Abstract: 本实用新型提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。

公开(公告)号：CN214851176U

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202120383290.8

申请日：2021-02-20

Applicant: 国家超级计算无锡中心

Inventor： 刘天奇 ,  蔡小五 ,  杨广文 ,  李博 ,  甘霖

IPC: H03K17/687

Abstract: 本实用新型提供的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，涉及侧驱动电路，通过对输入信号进行降频，高压侧的RC倍频电路实现固定脉宽信号的倍频，整个过程没有增加单路LDMOS功率晶体管的开关频率，有效的降低了高侧电平移位电路的功耗。