公开(公告)号：CN105037766B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201510492210.1

申请日：2015-09-18

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 周宏 ,  杨玉森 ,  金立国

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  C08K7/26 ,  C08K7/00 ,  C08K3/04 ,  C08G73/10 ,  C01B32/198

Abstract: 本发明涉及一种SiO2空心球/氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制法。目前覆铜箔板的基材采用覆铜箔聚酰亚胺薄膜PI，PI具有的电绝缘性、耐高温性、阻燃性，随着电子信息产品向高频高速发展，集成电路信号容阻延迟、串扰及能耗问题也日益凸显出来，而印制板的信号传输特性受印制板基材介电常数和介电损耗的影响很大，为满足信号传递的高速化，提高电子线路功能，亟需开发新型低介电常数材料解决上述问题。本发明包括如下步骤：采用模板法制备“核‑壳”结构微球，在650℃的条件下烧结3h，制得纳米二氧化硅空心球，并通过改进的Hummers法制备氧化石墨烯纳米片。本发明用于SiO2空心球/氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制法。