公开(公告)号：CN112645308A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011495143.6

申请日：2020-12-17

Applicant: 哈尔滨工程大学 ,  北京大学

Inventor： 刘志亮 ,  杨飘萍 ,  李至 ,  赵颖 ,  赵旭东 ,  陈顺鹏 ,  贺飞 ,  郑捷 ,  李星国

IPC: C01B32/15 ,  C01B33/021 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C1/08 ,  B22F9/24

Abstract: 一种铜碳原子级均匀共复合的超细多孔纳米硅的合成方法，它属于纳米材料合成技术领域。本发明要解决现有利用多种改性手段相结合的方式改性硅材料，存在需要复杂的多步反应和高温加热的反应条件，导电性低，掺杂效果不均匀，制备的多孔结构分布和大小不均匀的问题。制备方法：一、将硅化镁、氯化亚铜、氯化锡、氯化硅及碳基材料球磨；二、室温下，将球磨后的混合物浸渍于盐酸中，再利用乙醇和水的混合液为洗涤液进行洗涤，然后离心分离及干燥。本发明用于铜碳原子级均匀共复合的超细多孔纳米硅的合成。