一种可见光波段变换的光学器件结构单元及光学器件

    公开(公告)号:CN106054287B

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201610628539.0

    申请日:2016-08-03

    Abstract: 本发明提供了一种可见光波段变换的光学器件结构单元及光学器件,所述可见光波段变换的光学器件结构单元包括TiO2材料组成的天线、银镜和二氧化硅基底,其中顶层是天线结构,中间一层是银镜,底部是二氧化硅基底材料,其中天线的宽度尺寸a=160nm至180nm,天线的长度尺寸b=240nm至370nm,银镜和二氧化硅基底的长度和宽度相等,记为P,周期P=430±10nm,天线结构厚度t1=240±5nm,所述银镜银层厚度t2=300±20nm。本发明的光学器件采用二氧化钛纳米天线作为基本结构单元,超构表面亚单元在波长为632 nm处完美实现了光束异常反射,其形成的光学器件具有较高的异常反射转换效率。

    具有超表面的钙钛矿天线及其制备方法

    公开(公告)号:CN108535881A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810362414.7

    申请日:2018-04-20

    Abstract: 本发明提供了一种具有超表面的钙钛矿天线,包括从上至下层叠设置的钙钛矿层、金膜和基底。本发明还提供了一种具有超表面的钙钛矿天线的制备方法。本发明的有益效果是:利用金膜设计了在反射模式下工作的钙钛矿天线为基的超表面调控光束,钙钛矿天线在可见光范围内折射率高,能够在较小的厚度下实现在-π~π的范围内调控光的相位,并进一步应用于异常反射,异常反射的效率较高,并且,钙钛矿天线便于制备。

    一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法

    公开(公告)号:CN106298414B

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201610659049.7

    申请日:2016-08-10

    Abstract: 本发明提供了一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法,所述钙钛矿为单晶钙钛矿微结构,所述单晶钙钛矿微结构含有第一卤素离子;对所述单晶钙钛矿微结构,采用第二卤素用离子注入方法进行离子注入,将第一卤素离子进行部分取代;其中,所述第二卤素不同于第一卤素。采用本发明的技术方案,制备简单,采用离子注入的方法可以选择性地调谐光致发光和调谐一个卤化铅钙钛矿器件上的不同位置的激射行为,实验的操作以及验证比较容易,方法简单、可行,应用前景广阔,为微纳光电领域和光子器件领域的发展提供新思路。

    G-SERS基底的制备方法及癌细胞检测方法

    公开(公告)号:CN105092556A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510417395.X

    申请日:2015-07-15

    Abstract: 本发明提供了一种G-SERS基底的制备方法及癌细胞检测方法,G-SERS基底的制备方法步骤1:金纳米结构的制备:步骤2:制备石墨烯-金纳米结构基底;步骤3:银纳米结构-石墨烯-金纳米结构器件的制备。癌细胞检测方法,利用表面增强拉曼的原理设计并开发出一种简单、通用、快捷、成本低的方法实现了对癌细胞的检测。尺寸小:该方法制备的微纳结构器件尺寸可以小到微米。测试效率高:利用金属微纳结构对表面拉曼进行增强,增加入射光与物质的作用几率,能够使癌细胞的结构信息更为灵敏的表达出来,提高了检测和诊断的效率。不需要对癌细胞进行预处理和标记:克服了现有技术需要提前对癌细胞进行标记的困难,同时提高了检测诊断的准确性和可靠性。

    基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法

    公开(公告)号:CN104749665A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201510164384.5

    申请日:2015-04-08

    CPC classification number: G02B3/00

    Abstract: 本发明提供了一种基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法,单元包括高折射率介质材料组成的天线、二氧化硅填充层、银镜和二氧化硅基底。平面透镜包括以中心对称分布的平面透镜单元,平面透镜单元的天线在x轴上呈周期分布,在y轴上以y=0为对称中心对称分布。制备方法为:第一步是在二氧化硅基底上覆盖一层银膜,然后在银膜表面上继续用电子束蒸镀覆盖填充层二氧化硅和硅膜;第二步是在硅膜上旋涂光刻胶,然后用电子束曝光技术完成光刻胶的刻蚀和显影;第三步是采用反应离子束刻蚀技术实现对硅膜的刻蚀;第四步是经过剥离过程得到最终的纳米硅天线。该结构可以提高一个数量级的聚焦效率,因此具有很高的实际应用价值。

    基于硅的中红外区磁谐振超材料结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN104090321A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201410318204.X

    申请日:2014-07-04

    Abstract: 本发明提供了一种基于硅的中红外区磁谐振超材料结构,其包括两部分,一部分是基板,另一部分是硅立方块,所述基板为玻璃基板,所述硅立方块周期性分布在所述玻璃基板上,硅立方块的边长为L,L的取值范围是在1微米至5微米之间,硅立方块的间距为W,W的取值范围是在1微米至5微米之间。还提供了上述的基于硅的中红外区磁谐振超材料结构的制备方法,采用光刻的方法获得上述结构。本发明有效减少电导损耗,实现集中在中红外波段的应用,如过滤器、偏振器、光谱发射器等的设计,特提出以下基于硅的中红外区磁谐振超材料结构以及相应的制备方案,真正实现低损耗、极化不敏感、可以三维扩展、低成本的磁谐振超材料。

    一种半导体的显示方法与制备方法

    公开(公告)号:CN108538858A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810362411.3

    申请日:2018-04-20

    CPC classification number: H01L27/12 H01L21/84

    Abstract: 本发明提供了一种半导体的显示方法,主要由半导体制成的超表面的结构颜色与半导体在受激辐射下产生的本征颜色混合产生,通过调控入射白光以及激发的强度改变两种颜色的混合比,进而产生不同的颜色。本发明还提供了一种半导体的制备方法。本发明的有益效果是:利用超表面的结构颜色与半导体本身发光的本征颜色调色的交错机制之间的协同作用,使得其能够在室内环境下以大约纳秒级的转换时间在大范围内进行颜色调整,实现了原位控制。

    一种基于窄线宽微腔和宽频光源的低成本生化传感器

    公开(公告)号:CN107389611A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201710486756.5

    申请日:2017-06-23

    CPC classification number: G01N21/41 G01N2021/4166

    Abstract: 本发明提出了一种基于窄线宽微腔和宽频光源的低成本生化传感器,包括宽带光源、双直波导耦合的微环腔,其中,所述双直波导耦合的微环腔包括第一直波导、第二直波导、微环谐振腔,在 SOI上依次通过曝光和刻蚀制备出所述微环谐振腔及波导;所述微环谐振腔分别与第一直波导和第二直波导耦合连接;所述宽带光源输入所述双直波导耦合的微环腔,通过对所述双直波导耦合的微环腔的输出信号强度变化的监测即可实现传感。本发明可以有效地提高测量的通量,大大降低了造价,满足了便携式的要求;本发明利用宽带光源对输出光功率进行直接检测,有效提高了传感器的灵敏度。

    一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法

    公开(公告)号:CN106298414A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610659049.7

    申请日:2016-08-10

    Abstract: 本发明提供了一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法,所述钙钛矿为单晶钙钛矿微结构,所述单晶钙钛矿微结构含有第一卤素离子;对所述单晶钙钛矿微结构,采用第二卤素用离子注入方法进行离子注入,将第一卤素离子进行部分取代;其中,所述第二卤素不同于第一卤素。采用本发明的技术方案,制备简单,采用离子注入的方法可以选择性地调谐光致发光和调谐一个卤化铅钙钛矿器件上的不同位置的激射行为,实验的操作以及验证比较容易,方法简单、可行,应用前景广阔,为微纳光电领域和光子器件领域的发展提供新思路。

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