公开(公告)号：CN105624663B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201511018973.9

申请日：2015-12-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  李东琦 ,  王建康 ,  夏琦兴 ,  魏晗 ,  姜兆华

IPC: C23C22/63 ,  C23C18/12

Abstract: 一种在紫铜表面制备高吸收率高发射率的黑化热控膜层的方法，它涉及一种制备热控膜层的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的黑化热控膜层存在反应条件苛刻，难以精确控制，制备的膜层易脱落、与基体的结合力差的问题。方法：一、紫铜的预处理；二、溶液沉积法制备热控涂层；三、制备SnO2溶胶；四、制备TiO2溶胶；五、涂层凝胶旋转涂覆；六，升温，得到高吸收率高发射率的黑化热控膜层。本发明制备的高吸收率高发射率的黑化热控膜层的太阳吸收率α大于0.97，发射率ε大于0.92。本发明可获得一种在紫铜表面制备高吸收率高发射率的黑化热控膜层的方法。

公开(公告)号：CN105018971B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201510427739.5

申请日：2015-07-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姜兆华 ,  张艺方 ,  姚忠平 ,  赵娅靖 ,  魏晗 ,  贺雅琼 ,  于振兴

IPC: C25C5/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种由铁制备功能性的微纳结构枝状α‑Fe基材料的方法，它涉及一种α‑Fe功能材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有废铁回收成本高且有污染和现有制备纳米级铁的工艺复杂，成本高，产品纯度低的问题。制备方法：一、取一套反应装置；二、配置电解液；三、制备金属粉体；四、清洗干燥，得到功能性的微纳结构枝状α‑Fe基材料。本发明使用废弃钢铁为阳极，使废弃钢铁得到利用，解决了钢铁浪费的问题；本发明将普通的钢铁转化为枝状α‑Fe，枝状α‑Fe具有各种优异性能，在各个领域应用广泛。本发明可获得一种由铁制备功能性的微纳结构枝状α‑Fe基材料的方法。

公开(公告)号：CN105624663A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511018973.9

申请日：2015-12-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  李东琦 ,  王建康 ,  夏琦兴 ,  魏晗 ,  姜兆华

IPC: C23C22/63 ,  C23C18/12

CPC classification number: C23C22/63 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1254

Abstract: 一种在紫铜表面制备高吸收率高发射率的黑化热控膜层的方法，它涉及一种制备热控膜层的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的黑化热控膜层存在反应条件苛刻，难以精确控制，制备的膜层易脱落、与基体的结合力差的问题。方法：一、紫铜的预处理；二、溶液沉积法制备热控涂层；三、制备SnO2溶胶；四、制备TiO2溶胶；五、涂层凝胶旋转涂覆；六，升温，得到高吸收率高发射率的黑化热控膜层。本发明制备的高吸收率高发射率的黑化热控膜层的太阳吸收率α大于0.97，发射率ε大于0.92。本发明可获得一种在紫铜表面制备高吸收率高发射率的黑化热控膜层的方法。

公开(公告)号：CN105568343B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201511018840.1

申请日：2015-12-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  王建康 ,  姜兆华 ,  夏琦兴 ,  魏晗

IPC: C25D11/26 ,  B01J23/745 ,  B01J37/02 ,  C02F1/72

Abstract: 利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法和应用，它涉及制备类芬顿催化剂的方法和应用。本发明的目的是要解决现有类芬顿催化剂分离回收难和基体的溶出问题。方法：一、钛合金表面前处理；二、将步骤一中得到的抛光后的钛合金置于不锈钢电解槽中的电解液中，与电源正极相连，作为阳极；不锈钢电解槽与电源负极相连接，作为阴极；三、采用方波电源供电反应，得到铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂。本发明可获得利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法。

公开(公告)号：CN105040070A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510586138.9

申请日：2015-09-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  魏晗 ,  李东琦 ,  夏琦兴 ,  姜兆华

IPC: C25D11/26

Abstract: 一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法，它涉及一种钛合金TA2表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有钛合金TA2表面的涂层存在太阳能吸收率低，自身发射率高，膜层与基体的结合力不高的问题。方法：钛合金TA2前处理；二、微弧氧化，得到钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层。本发明制备的钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的厚度为0.3μm～1μm，膜层的粗糙度为0.2μm～0.25μm，太阳吸收率为0.82～0.9，发射率为0.08～0.13。本发明可获得一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法。