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公开(公告)号：CN108447593A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810184783.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 苏州城邦达力材料科技有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
CPC classification number: H01B5/14 , H01B13/0016 , H01B13/0026
Abstract: 本发明提供一种金属微纳米材料透明导电薄膜图案化的制备方法及其应用，涉及金属微纳米材料透明导电薄膜的制备领域。该制备方法，具体将含有金属微纳米材料的极性溶液涂布于柔性膜，干燥亲水性处理后，采用具有与柔性膜有一定粘性的极性溶液绘制任意图案，最后经0.3GHz-300GHz的微波处理。应用微波与在金属微纳米材料上的极性分子相互作用而引起加热效应，进而实现对金属微纳米材料加热直至熔断，有效提高金属微纳米材料透明导电薄膜的性能。该制备方法无需额外的打印涂覆过程，所需的制备处理时间短，效率高，可实现大规模连续生产，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN104947069B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510394176.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，它涉及一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法。本发明的目的是要解决目前金刚石微米棒阵列膜制备工艺复杂，制备成本较高，不能精确控制孔洞长径比的问题，本发明步骤为：硅片模板的制备、涂覆金刚石悬浮液、放置样品、金刚石微米棒阵列膜的生长、硅片模板的剥离，即完成。本发明利用多孔硅片模板代替AAO模板制备金刚石微米棒阵列膜，降低了薄膜的制备成本，简化了制备的工艺过程，通过调整硅片上孔洞的直径以及深度可以制备具有不同长径比的微米棒阵列，从而研究不同微米棒长径比对材料性能的影响。本发明应用于薄膜生长技术领域。
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公开(公告)号：CN104878447B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510304886.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，使用真空钎焊造成籽晶表面质量下降且不易观察的问题。方法：一、清洗；二、选择金箔；三、放置样品；四、原位连接；五、金刚石生长，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。
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公开(公告)号：CN104972189B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510459097.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，传统焊接介质熔点过低、与金刚石相容性差或反应严重损伤籽晶，无法满足金刚石优质生长的问题。方法：一、清洗；二、选择焊接介质；三、放置样品；四、真空钎焊，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。
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公开(公告)号：CN104947068A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510316529.9
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石热沉片的制备方法，本发明涉及金刚石的制备方法并将其用于热沉领域，它为了解决现有MWCVD方法生产金刚石的生长速率慢，表面粗糙以及热导率低的问题。制备方法：一、切割硅片，超声清洗后得到洁净的硅片基底；二、洁净的硅片基底表面均匀涂覆纳米金刚石悬浮液；三、涂覆有金刚石悬浮液的硅片放置于MWCVD装置中，通入氢气以及甲烷后进行化学气相沉积；四、利用HNO3与HF混合溶液腐蚀去除硅基底，清洗后得到金刚石热沉片。本发明通过使用涂覆纳米金刚石悬浮液的方法显著提高金刚石膜的生长速率，达到2～5μm/h，生长面粗糙度可低至600nm，热导率高，符合人造金刚石热沉的标准。
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