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公开(公告)号：CN103212755B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310177034.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23H3/00
Abstract: 水电极大气等离子体加工回转零件方法，它属于等离子体加工碳化硅或融石英等硅基材料回转类零件的技术领域。它是为了解决放电不均匀、工件热变形等问题。它的步骤一：旋转成形电极的上端面连接转轴上；旋转成形电极为圆形外凸形；步骤二：待加工零件的外表面浸入水槽中的电解质水溶液内；步骤三：旋转成形电极靠近待加工零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：使旋转成形电极做回转运动，启动射频电源；步骤六：控制旋转成形电极的运动轨迹和在零件表面的驻留时间；步骤七：取出待加工零件。本发明的水电极的应用，使得电极与工件表面无间隙贴合，放电均匀，保证了加工精度，提高了加工稳定性。
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公开(公告)号：CN103265183B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310177072.9
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 采用单个水射流作为电极的大气等离子体的加工方法，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的局部修形加工效率和表面质量问题。它的步骤一：将成形电极的上端面连接在工作架上；步骤二：在待加工零件的下方设置的喷头喷出的水接地；步骤三：使成形电极靠近待加工光学零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：使喷头喷出的水喷射到待加工光学零件的下端面上，启动射频电源；步骤六：使喷头进行左右移动和前后移动；步骤七：取出待加工光学零件。本发明能对光学零件表面进行小去除量的局部修形，水射流可以保证在每个位置的放电特性相同，避免放电不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN103265183A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310177072.9
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 采用单个水射流作为电极的大气等离子体的加工方法，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的局部修形加工效率和表面质量问题。它的步骤一：将成形电极的上端面连接在工作架上；步骤二：在待加工零件的下方设置的喷头喷出的水接地；步骤三：使成形电极靠近待加工光学零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：使喷头喷出的水喷射到待加工光学零件的下端面上，启动射频电源；步骤六：使喷头进行左右移动和前后移动；步骤七：取出待加工光学零件。本发明能对光学零件表面进行小去除量的局部修形，水射流可以保证在每个位置的放电特性相同，避免放电不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN103237405A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177048.5
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/30
Abstract: 一体化等离子体发生装置，它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决常温大气等离子体加工过程中，匹配器与等离子体炬距离过大，导致其工作不稳定的问题。它的当匹配器与电容耦合等离子体射流炬模块组合连接时，电容耦合等离子体射流炬模块的第一连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接；当匹配器与电感耦合等离子体炬模块组合连接时，第二连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接；当匹配器与成形电极模块组合连接时，成形电极模块的第三连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接。本发明将匹配器和等离子体炬集成为一体，无需负载线连接，缩短了匹配器和负载之间的距离，可有效降低外界对装置的电磁干扰，同时使阻抗匹配效果更加稳定。
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公开(公告)号：CN103237402B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310177047.0
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 大气等离子体加工装置，它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决现有五轴机床不能满足大气等离子体加工响应速度快、一体化等离子体发生装置装夹、屏蔽外界电磁干扰、工作舱密闭性需求的问题。它的壳体罩在底座的上端面上，并联机构采用3-PRS型并联机构，并联机构的上端面都连接在壳体的上端内表面上，并联机构的下侧活动端分别与三角平台的三个角连接，等离子体发生装置设置在三角平台的中部上，水平运动工作平台的下端面与底座上端面的中部连接，水平运动工作平台的上端面用于装夹待加工工件。本发明解决了普通五轴机床响应速度慢、一体化等离子体发生装置装夹不便，不能满足大气等离子体加工需求的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103269556A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310177068.2
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 大面积大气等离子体均匀放电电极，本发明属于光学加工领域。它是为了解决现有大面积大气等离子体放电产生的交变电流在趋近电极边缘处有电流密度增大的趋肤效应，导致大面积电极放电不均匀，而严重影响了大气等离子体加工技术的精度和效率的问题。它的形状为扁片形；其放电面上设置有多个凸起形微电极，所有凸起形微电极的形状尺寸相同，所有凸起形微电极与相邻凸起形微电极的相互之间的距离都相等，所有凸起形微电极的放电表面都与其相对的被加工面的距离相等。本发明能实现大气等离子体大面积均匀放电，避免了大气环境下连续表面电极激发等离子体因趋肤效应和边缘放电效应导致放电不均匀现象，从而有效提高大气等离子体加工精度和效率。
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公开(公告)号：CN103258708A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310177052.1
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 大气等离子体成形电极加工微结构密封环类零件的装置，它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的等离子体成形电极的上端面绝缘连接在五轴联动机床的竖直运动工作轴上，将待加工碳化硅密封环类零件装卡在地电极上，将五轴联动机床设置在密闭工作舱中，等离子体成形电极的下端面成形工作表面具有与待加工碳化硅密封环类零件期望的微结构面型相补偿的微结构，对零件直接进行成形加工；使等离子体成形电极靠近待加工碳化硅密封环类零件的待加工表面，并使它们之间保持一定的放电间隙。本发明能对微结构类零件表面进行加工，如碳化硅类密封环，加工效率高，精度高。
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公开(公告)号：CN103237403A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177061.0
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 电晕放电模式的大气等离子体发生装置，它属于光学加工领域。它为了解决光学元件的局部小范围面形误差修整问题。它的内电极的上端镶嵌在圆环形聚四氟乙烯连接块的内孔的上端中，圆环形绝缘固定套套接在内电极的中部，圆环形绝缘固定套外圆面的上部镶嵌在圆环形聚四氟乙烯连接块的内孔的下端处，圆管形陶瓷喷嘴的上端套接在圆环形绝缘固定套外圆面的下部上，使圆管形陶瓷喷嘴的内圆面与内电极的外圆面下部之间有一圈均匀的间隙，中空圆环形外电极的上端与圆环形聚四氟乙烯连接块的下端连接，中空圆环形外电极的内孔套接在圆管形陶瓷喷嘴的外圆面上。本发明能以高分辨率去除函数的方式对待加工件进行大气等离子体加工。
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公开(公告)号：CN103231297A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177080.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B13/00
Abstract: 大口径光学零件的大气等离子体加工方法，本发明属于光学加工领域。它是为了解决传统的机械抛光技术存在的低加工效率而无法满足光学领域对大口径光学元件的大批量需求的问题。包括：步骤一：将大气等离子旋转电极设置在密封罩内；步骤二：将密封罩的上端绝缘连接工作轴上，将待加工光学零件装卡在工作平台上；步骤三：使大气等离子旋转电极靠近待加工光学零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源并打开混合等离子体气源；步骤五：启动射频电源；步骤六：用上述产生的大气等离子体对零件表面进行加工；步骤七：取出待加工光学零件。本发明采用了旋转电极与加工零件之间的放电间隙产生等离子体，是非接触式化学加工方法，避免了机械加工中产生的损伤层。
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公开(公告)号：CN103227093A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310177069.7
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 适用于大口径非球面光学零件的大气等离子体加工装置，本发明属于光学加工领域。它是为了解决传统的机械抛光技术存在的低加工效率而无法满足光学领域对大口径光学元件的大批量需求的问题。它的旋转电极设置在密封罩内，旋转电极与射频电源的输出端连接作为大气等离子体放电的阳极；密封罩的上端绝缘连接在工作轴上，将待加工光学零件装卡在工作平台上；工作平台接地作为大气等离子体放电的阴极；旋转电极与待加工光学零件的待加工表面之间设置有放电间隙。本发明能对大口径非球面光学表面进行非接触式大气等离子体加工，加工速度高，不存在边缘效应问题。
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