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公开(公告)号：CN115061029A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210759798.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，包括：测试AlGaN/GaN‑HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；在不同栅极电压下对AlGaN/GaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试；分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度，还能够确定缺陷的位置，且步骤简单，易于操作，对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。
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公开(公告)号：CN108335770A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810130004.X
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21F1/02 , G21F1/08 , G21F1/10 , G21F1/12 , G21F3/00 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01L23/373 , H01L23/48 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L23/3736 , B82Y30/00 , G21F1/02 , G21F1/08 , G21F1/10 , G21F1/125 , G21F3/00 , H01B1/023 , H01B1/04 , H01L23/373 , H01L23/3735 , H01L23/3737 , H01L23/48
Abstract: 一种多功能的梯度结构柔性防护薄膜，它涉及空间环境中电子器件防护领域，特别是一种抗空间带电粒子辐射以及具有优异导电导热性能的纳米薄膜防护金属膜柔性聚合物多层梯度结构功能防护材料。本发明是要解决现有抗空间辐射防护材料存在质量重、非柔性、成本高及易于产生二次粒子的问题。多功能的梯度结构柔性防护薄膜为三层结构，所述三层结构分别为纳米管薄膜、微纳米单质层和柔性聚合物；所述纳米管薄膜为石墨烯薄膜、氮化硼纳米管或碳纳米管薄膜；微纳米单质层中所述单质为铝、镍、钛、铜或银；所述柔性聚合物为低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高分子量聚乙烯或微纳米粒子掺杂聚合物。本发明用于电子器件防护。
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公开(公告)号：CN108334706A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810135800.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 双极器件位移损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及在轨双极器件的性能退化评价技术，为了满足针对不同类型辐照源的双极器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面异种粒子辐照源，确定位移损伤引起的性能退化与位移吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DI和位移吸收剂量DD，当双极器件以位移损伤为主时，根据函数关系曲线找到该位移吸收剂量DD所对应的性能退化情况，完成在轨双极器件的性能退化评价。本发明适用于等效评价在轨双极器件的性能退化情况。
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公开(公告)号：CN106644907A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610911406.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
CPC classification number: G01N17/00
Abstract: 低地球轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，涉及空间环境效应领域。本发明是为了解决现有低地球轨道航天器用暴露材料地面模拟试验方法不能够全面实现暴露材料空间综合环境效应研究的问题。本发明所述的低地球轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，将待实验样品置密封腔体内，对待实验样品进行粉尘模拟试验，对待实验样品进行原子氧环境及紫外环境试验，对密封腔体抽真空，进行热循环试验，根据待试验样品的厚度t，选择入射电子及质子的能量，对待实验样品进行带电粒子辐照试验，进行低地球轨道航天器用暴露材料性能测试。本发明适用于空间环境效应研究与抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN115061029B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210759798.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，包括：测试AlGaN/GaN‑HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；在不同栅极电压下对AlGaN/GaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试；分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度，还能够确定缺陷的位置，且步骤简单，易于操作，对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111865225B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010735158.9
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器和电荷灵敏放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏放大子电路的输入端电连接，使输入电容和冲击传感器各自直接与电荷灵敏放大子电路的输入端耦合，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容具备防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，避免了冲击传感器通过输入电容与电荷灵敏放大子电路耦合，防止输入电容跟随冲击传感器工作，克服了现有微弱脉冲信号放电电路中的输入电容在冲击传感器与电荷灵敏放大子电路之间造成信号干扰的缺陷。
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公开(公告)号：CN111766498B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735277.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种深能级瞬态谱触发信号的控制方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：根据预设时长确定触发信号曲线数据，触发信号曲线数据包括零电压数据段、过渡曲线数据段、保持幅度数据段，过渡曲线数据段构成平滑的上升沿曲线或下降沿曲线，用于实现零电压数据段和保持幅度数据段之间的平滑过渡；将触发信号曲线数据转化为模拟信号；对模拟信号进行调制形成注入电压信号，以将注入电压信号注入至被测器件。本发明采用零电压注入形式，使注入脉冲信号由零电压沿分段指数函数波形形式构成信号的上升沿和下降沿，消除波形的尖锐边沿，消除其瞬态变化高频畸变，从而保证了触发的瞬态性，又减小了系统的干扰。
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公开(公告)号：CN115270289A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210770215.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种原子氧或紫外辐照通量的计算装置、方法及模拟器，涉及航天器仿真计算技术领域，所述计算装置包括：环境参数设定模块，用于获取影响航天器外表面原子氧通量的第一空间环境参数或影响航天器外表面紫外辐照强度的第二空间环境参数；模型建立模块，用于建立航天器的三维模型，并将航天器表面剖分成多个多边形网格单元；参数导入模块用于将第一空间环境参数或第二空间环境参数输入到三维模型；选择模块用于确定采用蒙卡计算方法或射线追踪计算方法；计算模块用于计算航天器表面原子氧或紫外辐照通量。本发明操作简单，能够准确、快速地计算不同环境条件下材料表面的原子氧或紫外辐照通量。
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公开(公告)号：CN115169178A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759732.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/25 , G06T17/20 , G01N17/00 , G01R31/00 , G06F111/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种模拟空间环境下原子氧或紫外辐照通量的计算方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：获取影响航天器外表面原子氧通量的第一空间环境参数或影响航天器外表面紫外辐照强度的第二空间环境参数；建立航天器的三维模型，并将航天器表面剖分成多个多边形网格单元；将所述第一空间环境参数或所述第二空间环境参数输入到所述三维模型，计算原子氧或紫外辐照模拟粒子碰触的所述多边形网格单元，得到航天器表面原子氧或紫外辐照通量。本发明的模拟空间环境下原子氧或紫外辐照通量的计算方法，操作简单，能够准确、快速地计算不同环境条件下材料表面的原子氧或紫外辐照通量，有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108304666B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810136598.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 基于杂化泛函计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法，本发明涉及计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法。本发明目的是为了解决现有基于杂化泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题。过程为：得到β‑Ga2O3的晶格参数和禁带宽度；得到β‑Ga2O3能量最低点的晶格参数和禁带宽度；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；计算含有缺陷的β‑Ga2O3的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。本发明用于计算β‑Ga2O3电荷转移的领域。
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