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公开(公告)号:CN103305911B
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201310196038.6
申请日:2013-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其工艺特点是:真空条件下水平定向凝固结晶生长Re:YAP激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点,使得制备的Re:YAP激光晶体具有质量更高,尺寸更大,利用率更高,缺陷密度低,激光性能更好,无掺杂离子核心、成本低及耗能少等优点。
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公开(公告)号:CN104762658A
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201510218130.7
申请日:2015-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B29/16 , C04B35/44 , C04B2235/3225 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/76 , C30B15/00
Abstract: 一种水平定向区熔结晶制备大尺寸氧化铝-钇铝石榴石共晶陶瓷的方法,它涉及一种制备氧化铝-钇铝石榴石共晶陶瓷的方法。本发明是要解决现有大体积共晶陶瓷在制备过程中存在生长缺陷多、共晶质量差的问题。方法:一、陶瓷料混合;二、化料;三、引晶;四、冷却及退火过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点,使得制备的氧化铝-钇铝石榴石共晶陶瓷具有尺寸大,缺陷少、硬度大、常温和高温力学性能突出、热稳定性强、易加工等优点。本发明用于制备大尺寸氧化铝-钇铝石榴石共晶陶瓷。
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