-
公开(公告)号：CN112621116A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011418595.4
申请日：2020-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于方钴矿热电材料与Cu基电极的低温纳米连接方法，涉及一种用于方钴矿热电材料与电极的连接方法。目的是解决现有的方钴矿与铜电极连接存在元素扩散和装夹难度大的问题。方法：在方钴矿表面镀覆含Co元素的防扩散阻隔层，然后在防扩散阻隔层表面涂纳米银焊膏，再在纳米银焊膏表面放置Cu电极，构成焊接件，进行真空钎焊，即完成。本发明采用膏状纳米银焊膏实现低温连接方钴矿与电极，连接后接头未发生元素扩散，接头接触电阻低。连接速度快，效率高，能够实现器件的大规模制备。本发明适用于方钴矿热电材料与Cu电极的连接。
-
公开(公告)号：CN110315159B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910657194.5
申请日：2019-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硬质合金钢复合刀具的制造方法，涉及一种复合刀具的制造方法。目的是解决硬质合金钢复合刀具制备时接头残余应力高和硬质合金的硬度降低的问题。方法：向硬质合金待焊面上的转移石墨烯，然后在硬质合金待焊面和钢制刀板待焊面中间放置钎料连接板，然后进行钎焊，钎料连接板由数层BNi2钎料箔片、1层网状碳纳米管片和1层Cu箔片叠放构成。本发明在硬质合金待焊面转移石墨烯，在钎焊时能够抑制硬质合金向钎料中的溶解，避免了硬质合金硬度下降。添加具有低膨胀系数的网状碳纳米管解决了硬质合金侧应力大的问题。本发明适用于制备硬质合金钢复合刀具。
-
公开(公告)号：CN119800279A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411973797.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种预离化空心阴极管内放电在细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置及使用方法。它属于表面处理领域。它解决了空心阴极靶变形失效以及难以在细长管筒件内壁均匀而快速沉积大厚度薄膜的问题。装置中包括预离化电源、预离化离子源和阳极环构成的预离化装置；预离化离子源、阳极环、空心阴极靶材、细长管筒件和阳极杆同轴设置。本发明通过设置预离化离子源，降低了空心阴极靶材放电难度，提高了空心阴极靶材放电强度，减少了空心阴极靶材端口热输入，避免了端口过热变形失效，进而提高了薄膜的沉积速率，通过往复机构带动细长管筒件与空心阴极靶材放电区域的相对运动，实现了细长管筒件内等离子体放电和均匀而快速沉积大厚度薄膜的问题。
-
公开(公告)号：CN112276275B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011163376.6
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用高热稳定合金复合中间层连接方钴矿热电材料和电极的方法，涉及一种连接方钴矿热电材料和电极的方法。目的是解决现有方钴矿热电材料焊接方法所得接头的连接接头热稳定性差和接触电阻大的问题。方法：一、方钴矿热电材料和电极清洗；二、使用电镀或物理气相沉积的方法制备中间连接层和扩散阻隔层，进行扩散焊；中间连接层材质为Co、Fe或Ni；扩散阻隔层材质为CoMo、CoW、FeMo或FeW。本发明利用中间连接层和扩散阻隔层所得接头具有低的接触电阻率，接头的热稳定性高。本发明适用于连接方钴矿热电材料和电极。
-
公开(公告)号：CN114029601A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111501410.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用金箔中间层低温扩散连接Ti3SiC2陶瓷的方法，涉及一种连接Ti3SiC2陶瓷的方法。为了解决现有的Ti3SiC2陶瓷扩散连接方法的连接温度高的问题。方法：Ti3SiC2陶瓷的焊前切割、打磨和清洗处理；金箔平整、打磨和清洗；装配得到装配件；真空扩散连接。本发明采用金箔中间层进行低温扩散连接，Au元素较低温度下与Ti3SiC2相陶瓷中的Si元素、Al元素发生取代使得金箔中间层与Ti3SiC2陶瓷在600～650℃发生剧烈的互扩散，从而实现Ti3SiC2陶瓷的低温扩散连接。采用金箔作为中间层扩散连接得到的接头具有良好的抗腐蚀性。本发明适用于连接Ti3SiC2陶瓷。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112276275A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011163376.6
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用高热稳定合金复合中间层连接方钴矿热电材料和电极的方法，涉及一种连接方钴矿热电材料和电极的方法。目的是解决现有方钴矿热电材料焊接方法所得接头的连接接头热稳定性差和接触电阻大的问题。方法：一、方钴矿热电材料和电极清洗；二、使用电镀或物理气相沉积的方法制备中间连接层和扩散阻隔层，进行扩散焊；中间连接层材质为Co、Fe或Ni；扩散阻隔层材质为CoMo、CoW、FeMo或FeW。本发明利用中间连接层和扩散阻隔层所得接头具有低的接触电阻率，接头的热稳定性高。本发明适用于连接方钴矿热电材料和电极。
-
公开(公告)号：CN110098309A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910353466.2
申请日：2019-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米银焊膏及镍镀层的N型Bi2Te3与Cu电极的连接方法，涉及一种Bi2Te3与Cu电极的连接方法。目的是解决采用Sn基钎料连接的N型Bi2Te3与Cu电极连接构成热电装置无法满足热电装置服役的温度要求和钎焊接头的可靠性差的问题。方法：先在N型Bi2Te3待焊面制备镍镀层作为扩散阻隔层，然后利用纳米银焊膏对N型Bi2Te3待焊面和Cu电极进行钎焊连接。镍阻隔层与纳米银之间、以及纳米银与Cu之间的有效结合保证了接头的可靠性。服役过程中抗剪强度衰减小，具有良好的中低温使用性能。本发明适用于N型Bi2Te3与Cu电极的连接。
-
公开(公告)号：CN106098924A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610710136.0
申请日：2016-08-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种层积薄膜型热电器件及其制备方法。本发明属于热电器件的制备技术领域，具体涉及一种层积薄膜型热电器件及其制备方法。本发明目的是为了解决目前热电器件的制备方法存在的难以实现曲面贴合以及规模化生产高效制备的问题。产品：依次包括基板、底部绝缘层、多个热电模组、多个临时支撑物填充区和顶部绝缘层；所述热电模组依次包括底部导电层、P型热电模块、N型热电模块和顶部导电层。方法：利用掩膜版，采用大气等离子喷涂技术喷涂各个涂层。本发明产品结构简单，方法高效灵活，可实现曲面表面与热电器件的牢固贴合，提高了大面积、高阵列密度热电器件规模化生产应用的潜力。
-
公开(公告)号：CN119776764A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411973798.8
申请日：2024-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于水冷与磁约束的空心阴极细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置及使用方法。它属于表面处理领域。它解决了现有方法受限于空心阴极端口局部温度过高，导致的空心阴极靶变形失效的问题。装置：水冷与磁约束结合。方法：自辉光清洗细长管筒件内壁；空心阴极增强辉光清洗细长管筒件内壁；管筒件内壁沉积。本发明避免空心阴极靶材因局部过热变形失效，配合往复机构使涂层更均匀，可实现细长管筒件内径6mm内壁金属薄膜快速、均匀沉积，能控制表面温度变化，确保材料力学性能。相比传统方法，本发明离子源在管内产生，避免能量损耗，提高溅射效率，且可通过往复机构步进溅射调控镀膜均匀性，满足不同行业对细管内壁膜层厚度和均匀性要求。
-
公开(公告)号：CN115673452B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202211437099.2
申请日：2022-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00
Abstract: 一种碲化铋热电材料与电极的钎焊连接方法，涉及一种热电材料与电极的钎焊连接方法。目的是解决当前碲化铋热电材料与电极钎焊连接过程中碲化铋与电极之间元素扩散及钎焊接头强度低的问题。方法：在碲化铋热电材料的待焊面电镀Ni镀层，在Ni镀层上电镀NiMo合金镀层，将钎料片置于碲化铋热电材料的待焊面和电极的待焊面之间进行装配，进行钎焊。本发明通过在碲化铋表面电镀Ni/NiMo复合阻隔层，采用锡基钎料对碲化铋与电极进行钎焊连接，Ni/NiMo复合阻隔层与碲化铋结合致密，有效解决了现有碲化铋热电材料与电极焊接中碲化铋与电极之间易产生元素扩散及接头强度低的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.02 seconds)
