公开(公告)号：CN107742046A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201711092963.9

申请日：2017-11-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  邓杰 ,  王跃 ,  赵建立 ,  陈秋影 ,  翟国富

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009

Abstract: 一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。本发明涉及一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中。本发明用于考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。

公开(公告)号：CN107357955A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710418855.X

申请日：2017-06-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  吕明东 ,  谭俊 ,  杨彦木子 ,  王跃 ,  翟国富

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开一种综合考虑制造和温度噪声的电子系统参数设计方法，包括：由可控因素、第一参数噪声因素和第二参数噪声因素的基础数据，建立稳健性参数设计分析表；计算所述分析表的目标仿真结果；由内外表下的第二参数统计得到中心值及方差；归一化处理；确定第一参数噪声权重和第二参数噪声权重，得到第二参数噪声评估值；将所述第二参数噪声评估值填入内外表中，统计内表对应的信噪比和灵敏度特征值；对所述信噪比和灵敏度特征值进行方差分析，确定优化后的参数水平组合；通过模拟获得优化前后设计不同第二参数下的输出分布；如果优化方案满足要求，则停止优化；否则调整所述第一参数噪声权重和所述第二参数噪声权重，重新优化参数水平组合。

公开(公告)号：CN111506998A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010297290.6

申请日：2020-04-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  谭俊 ,  王跃 ,  邓杰 ,  翟国富

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/18

Abstract: 一种构建机电产品制造过程参数漂移故障特征样本库的方法，属于制造过程建模与诊断技术领域，包括如下步骤：结合制造过程建立机电产品虚拟样机模型，并将关键制造过程参数注入虚拟样机模型；基于试验设计技术和虚拟样机模型，建立制造过程参数-产品性能参数快速计算模型；针对具体制造过程参数确定其均值或方差可能出现故障，通过蒙特卡洛方法虚拟出对应批次制造过程参数数据，并带入快速计算模型得到对应批次产品性能参数数据，对数据进行统计和特征提取，存入数据库中，建立制造过程参数均值或方差漂移故障特征样本库。本发明的故障特征样本库应用于机电产品制造过程故障诊断中，极大降低了故障诊断方法的复杂度，具有良好的推广应用前景。