多阴极脉冲弧等离子体源装置

    公开(公告)号:CN100490052C

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200610010244.3

    申请日:2006-06-30

    Abstract: 多阴极脉冲弧等离子体源装置,它涉及一种脉冲等离子体产生装置。针对现有脉冲阴极弧等离子体源,存在易短路的问题及采用在真空室上安装多个阴极弧等离子体源,存在设备投资大和采用破坏真空的方法,存在工件强化层性能差的问题。本发明的推进杆(14)装在阴极外套(2)内并与阴极(4)相连接,装在阴极(4)上的触发极(6)与阴极(4)之间装有绝缘瓷套(7),公共弹簧触发杆装置(20)的一端与相对应的触发极(6)相接触,推进杆(14)上装有螺旋传动的从动齿轮(13),移动杆(15)的下端装在阴极外套(2)内,移动杆(15)的下端装有主动齿轮(12),阳极(5)位于阴极4的正下方,阳极(5)的下端装有不锈钢弯管总成(10)。本发明具有稳定工作时间长、可在不破坏真空的条件下实现多个阴极的任意切换的优点。

    基于中心对称型的大面积金属等离子体形成装置及方法

    公开(公告)号:CN101358332A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200810137009.1

    申请日:2008-08-27

    Abstract: 基于中心对称型的大面积金属等离子体形成装置及方法,它涉及一种金属等离子体形成装置及金属等离子体形成方法。本发明的目的是针对磁过滤阴极真空弧的引出口径较小难于实现对大尺寸零件处理的问题。本发明的装置四至六个一体式脉冲阴极弧源轴对称分别固定在壳体的上侧壁上。方法一、钛阴极的放电电流为50~200A,流过螺线管的电流大小为1.5~2.5A。方法二、通入40~60sccm的氮气,将工作真空度调到2.0×10-1~3.0×10-1Pa,钛阴极的放电电流为50~200A。方法三、碳阴极的放电电流为50~200A,通入3~7sccm的氩气。本发明的装置可实现大型零件的处理;方法工艺流程简单、提高了生产效率。

    一种复制制造Wolter-I型反射镜的工艺

    公开(公告)号:CN107561609B

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201710724368.6

    申请日:2017-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种复制制造Wolter‑I型反射镜的工艺,其工艺流程为:复制所用的精密芯轴制造→PVD工艺涂敷DLC膜层→PVD工艺涂敷金膜反射层→电铸镜壳→对镜壳表面修整→利用脱模装置在低温制冷室内将反射镜从芯轴上释放→清洗反射镜表面。本发明在复制金膜和芯轴表面之间涂敷DLC作为脱膜层,可以有效防止脱模过程中金膜的破损,有利于复制金膜从芯轴上顺利脱下;镀金膜时在芯轴回转表面和两个端面同时进行,防止电铸过程中电铸镍从芯轴端面金膜与芯轴表面之间渗入;延长电铸时间,可以提高镜壳的强度,防止变形,而且易于脱壳、运输和安装;在低温室内通过辅助脱壳装置使芯轴与镜壳分离,避免了反射镜制造成本增加和健康危害。

    一种具有高耐磨损能力的TiAlSi/TiAlSiN多层交替涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN109930106A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201910379626.0

    申请日:2019-05-08

    Abstract: 一种具有高耐磨损能力的TiAlSi/TiAlSiN多层交替涂层的制备方法,涉及一种TiAlSiN涂层的制备方法。本发明是要解决现有的TiAlSiN涂层的耐磨性差的技术问题。本发明提出的TiAlSi/TiAlSiN多层交替涂层的制备方法,使用TiAlSi合金阴极靶材,通过改变通入的氮气来实现涂层成分的改变,从而制备多层交替涂层,提高涂层的工业应用性。由于TiAlSi合金的硬度较低,TiAlSiN涂层硬度较高,使用该种方法制备得到的软硬交替涂层,可以很好地缓解涂层应力,改善涂层塑韧性,提高涂层的耐磨性,对于提高刀具涂层的使用寿命具有重大意义。

    一种环形碳纤维阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN104966655B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201510357767.4

    申请日:2015-06-25

    Abstract: 一种环形碳纤维阴极及其制备方法,它涉及一种阴极及其制备方法。本发明的目的是要解决现有碳纤维阴极为平面形式阴极,无法对复杂工件表面进行均匀的辐照改性处理的问题。装置包括屏蔽环、螺孔、电极、环形内绝缘环、导电环和碳纤维束;所述的电极的内部设有环形内绝缘环,电极的上下两端均设有导电环;环形内绝缘环和导电环的上下两端均设有屏蔽环;碳纤维束的一端焊接在电极的通孔中,碳纤维束的另一端穿出环形内绝缘环的通孔。制备方法:一、制备环形内绝缘环和电极;二、制备碳纤维束;三、将电极和导电环固定,将电极和环形内绝缘环固定;四、将屏蔽环固定在环形内绝缘环和导电环的表面上。本发明可获得一种环形碳纤维阴极。

    一种自蔓延方法制备NiAl系金属间化合物复合自润滑涂层的方法

    公开(公告)号:CN105290406A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510762221.7

    申请日:2015-11-10

    Inventor: 王浪平 李磊

    Abstract: 一种自蔓延方法制备NiAl系金属间化合物复合自润滑涂层的方法。本发明属于堆焊技术领域,尤其涉及一种制备NiAl系金属间化合物复合自润滑涂层的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的自润滑涂层耐磨时间短、工艺复杂、成本高以及使用温度有限的问题。方法:一、按摩尔比1:1压制Ni-Al压坯;二、按摩尔比3:1压制3Ni-Al-MoS2压坯;三、按由上至下为3Ni-Al-MoS2压坯、Ni-Al压坯和金属基体叠放好,然后点燃Ni-Al压坯,点燃同时加压,燃烧完成后泄压,得到NiAl系金属间化合物复合自润滑涂层。本发明制得的涂层具有明显的润滑效果,且制备涂层过程比较快速、效率高,且节省能源、绿色环保。

    一种发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极的制备方法

    公开(公告)号:CN102436997B

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201110395868.2

    申请日:2011-12-02

    Abstract: 一种发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极的制备方法,它涉及一种碳纤维阴极的制备方法。本发明要解决现有技术制备的阴极存在不能发射大面积均匀电子束的问题。方法:分别制备碳纤维束安装盘、碳纤维束和高压电极,然后将碳纤维束、限流电阻、高压电极和碳纤维束安装盘依次组装焊接在一起,即得到发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极。优点:一、可以保证整个阴极面的均匀电子爆炸发射;二、可以单独更换碳纤维束,节省成本;三、可以调节发射电流;四、可以实现不同空间位置发射电流的控制。本发明主要用于制备发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极。

    一种在金属基体上实现氧化物陶瓷膜层冶金结合的方法

    公开(公告)号:CN102634795A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210146045.0

    申请日:2012-05-11

    Abstract: 一种在金属基体上实现氧化物陶瓷膜层冶金结合的方法,它涉及金属基体与陶瓷膜层的连接方法。本发明要解决现有的氧化物陶瓷膜层与金属基体之间的结合强度低,难以形成膜层与基体冶金结合的问题。方法按以下步骤进行:一、清洗金属基体;二、在步骤一所得的金属基体上制备一层活性材料层;三、在步骤二制备的活性材料层上覆盖功能膜层;四、连接活性材料层和功能膜层,在连接温度为750℃~1400℃的条件下,保温10~40min,完成氧化物陶瓷膜层与金属基体的冶金结合。本发明具有如下优势:膜层与基体之间为冶金结合,结合强度高;膜层与基体之间的热应力低;膜层质量好,不存在裂纹等缺陷。本发明用于金属基体与陶瓷膜层的连接。

    自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置及利用其镀膜的方法

    公开(公告)号:CN102492924A

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201110418126.7

    申请日:2011-12-14

    Abstract: 自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置及利用其镀膜的方法,它涉及电子束蒸镀的装置及方法。本发明是要解决现有的电子束蒸镀方法的膜层与基体之间的结合力低,离子束辅助电子束蒸镀的方法成膜速度慢的技术问题。自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置由电子束蒸镀装置和射频辉光放电系统和真空系统组成;其中射频辉光放电系统由射频放电电极和射频电源组成。镀膜方法:将基体放在样品架上,成膜物质放置于坩埚中,抽真空后,启动烘烤装置加热基体,启动电子束蒸发源产生电子束,加热坩埚内物质,形成蒸汽,启动射频电源2和射频放电电极,同时对样品架加电压,镀膜后,得到膜层。本法成膜速度快,膜层结合强度高,可用于光学膜层、热防护涂层及防蚀涂层制备领域。

    常压等离子体抛光装置

    公开(公告)号:CN100406197C

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200610010296.0

    申请日:2006-07-17

    Abstract: 常压等离子体抛光装置,它涉及一种抛光装置。本发明的目的是为解决常规的机械式研抛方法存在的不足及在碳化硅等硬脆性难加工材料的超光滑表面加工中存在的效率低、易产生表层及亚表层损伤、表面清洗困难等问题,本发明的主要部件包括:密封工作舱(51)、等离子体炬(53)、第一联动系统(52)、第二联动系统(57)、第一流量控制器(60)、第二流量控制器(65)、反应气体瓶(61)、等离子体气体瓶(62)、气体回收处理装置(63),等离子体炬(53)安装在第一联动系统(52)上。本发明可在常压下通过等离子体化学反应实现超光滑表面加工,不需要真空室,可降低设备成本并扩大其使用范围。加工效率是传统抛光方法的十倍,并且无表面损伤、无亚表层损伤、无表面污染。

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