量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法

    公开(公告)号:CN101571886A

    公开(公告)日:2009-11-04

    申请号:CN200910072263.2

    申请日:2009-06-12

    Abstract: 量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法,它涉及一种量子阱红外探测器材料结构的设计方法。针对采用常规量子阱红外探测器材料的分子束外延方法,材料生长速率慢、成本高、不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化问题。方法是:建立物理模型、求解特征能级和波函数、求解总电子密度、利用泊松方程求解新的静电势能、静电势能判断、输出结果、预制微扰自洽迭代。量子阱探测器的结构设计包含了势阱厚度、势垒厚度、势垒高度(铝的含量)、掺杂浓度及总周期数等参数,本发明能结合特定探测器性能要求,综合考虑各种因素确定所需生长的具体的量子阱红外探测器材料,并具有材料生长速率快、成本低、适宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的优点。

    不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法

    公开(公告)号:CN100453995C

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200610151069.X

    申请日:2006-11-27

    Abstract: 不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法,本发明涉及一种测算偏振保持光纤拍长的方法。它解决了因应力区和芯区掺杂形状各异,偏振保持光纤的拍长很难用通用理论公式计算的问题。本发明通过下述步骤实现:一、获取含有偏振保持光纤的包层区、应力区和芯区的光纤横截面图片;二、在计算机中建立该图片的平面坐标系,确定图片中每个像素点的坐标值同时确定芯区中心位置的坐标,通过计算机依次读取该图片每个像素点的像素值,利用包层区与应力区和芯区内像素点的像素值差异,弃掉包层区的像素点,把应力区和芯区内的每个像素点代入公式计算每个像素点坐标的微分值。本发明中测算方法不受应力区和光纤芯部掺杂区形状的影响。

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