-
公开(公告)号：CN101514494A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910071454.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B29/38
Abstract: β－Si3N4单晶的制备方法，它涉及Si3N4单晶的制备方法。它解决了现有技术中制备β－Si3N4单晶的方法存在产物中混有杂质、β－Si3N4单晶的大小不易控制、使用添加剂造成设备腐蚀、排出的尾气对环境有害和致密材料的制备过程中晶粒会相互碰撞的问题。方法：1.称取α－Si3N4粉末和添加剂，混合后加入聚乙烯醇水溶液，球磨混合得泥浆；2.将泥浆倒入石墨容器中，烘干后得坯体；3.将石墨容器置于高温炉中，气氛烧结得块体；4.将块体破碎，放入熔融的NaOH中，收集沉淀物，然后用水清洗，即得β－Si3N4单晶。本发明中β－Si3N4单晶纯度高，能够实现对β－Si3N4单晶直径及长度的控制，所使用添加剂不会造成设备腐蚀，无尾气产生。
-
公开(公告)号：CN108395257B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810478171.3
申请日：2018-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/593 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基复合材料及其制备方法，具体的，氮化硅粉体和氮化硼先驱体的混合粉体在通入氨气的高温炉中得到纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体；将纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体与烧结助剂在无水乙醇中球磨混合，干燥过筛后烧结，得到致密的氮化硅基复合材料；将所获得致密氮化硅基复合材料在氮气保护气氛炉中进行高温长时间热处理，得到高热导率、高抗弯强度及高韧性的氮化硅基复合材料，满足大功率电子器件的封装材料及高超音速飞行器透波窗口材料的性能要求。
-
公开(公告)号：CN108789770B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201810592623.0
申请日：2018-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B28B1/00 , B28B11/24 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/634 , B33Y10/00 , B33Y70/10 , B33Y40/20
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基复合材料天线窗及其制备方法，根据天线窗的介电常数随厚度的变化规律的要求，确定孔隙率随厚度的变化规律，进而确定制备氮化硅基复合材料的陶瓷浆料固相含量随厚度的变化规律；在3D打印过程中，根据陶瓷浆料固相含量随厚度的变化规律，控制含有陶瓷相的第一浆料和水溶胶的加入质量，逐层打印，获得陶瓷浆料凝胶块，经低温冷冻，真空冷冻干燥，烧结降温后即可获得具有介电梯度的氮化硅基复合材料，经加工制备成氮化硅基复合材料天线窗。本发明所述的氮化硅基复合材料天线窗一体化制备，消除界面应力，在使用中安全可靠，工艺简单，能够满足不同宽频透波的要求。
-
公开(公告)号：CN103304252A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310233416.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法，本发明涉及复合材料的制备方法。本发明要解决多孔Si3N4微米级孔隙难以用于隔热领域和纯SiO2气凝胶强度太低难以直接应用的问题。方法：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备多孔Si3N4；四、制备SiO2溶胶；五、得到SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。本发明制备的复合材料抗压强度为5～50MPa，常温下的导热系数为0.03～0.08w/(m·K)，介电常数1.40～1.80，介电损耗正切角0.1～3×10-2，密度0.38～0.8g/cm3，平均孔径8～30nm。本发明用于制备SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。
-
公开(公告)号：CN101792119B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010142014.9
申请日：2010-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 负载纳米铟锡氧化物的碳纳米管复合材料的制备方法，它涉及碳纳米管复合材料的制备方法。本发明解决了现有的制备负载纳米铟锡氧化物碳纳米管复合材料的方法工艺复杂的问题。本方法：用硝酸铟、氯化锡和乙二醇甲醚制成有机相溶液；用间苯二酚、甲醛、碳酸钠和水制备水相溶液；将有机相溶液滴入水相溶液，得到前驱体溶液；将多孔氧化铝模板浸入到前驱体溶液中，静置；然后烧结，最后用氢氧化钠去掉模板再洗涤、干燥后，即得负载纳米铟锡氧化物的碳纳米管复合材料。本发明工艺简单，可用于氢气敏元件的制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101785983B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010142012.X
申请日：2010-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种负载氧化锡的碳空心球复合材料的制备方法，它涉及碳空心球复合材料的制备方法。本发明解决了现有的负载氧化锡的碳空心球复合材料的制备方法工艺复杂、产率低的问题。本发明：一、将间苯二酚、甲醛、碳酸钠、氯化锡和水制成水相溶液；二、将正己烷和Span-80制成油相溶液；三、在搅拌下，将水相溶液滴入油相溶液，升温至60℃～85℃保持4h～48h，得到前驱体；四、将前驱体洗涤干燥；五、前驱体在用氮气或氩气保护下热处理，得到负载氧化锡的碳空心球复合材料。本发明工艺简单，碳空心球的产率为60%～80%，本发明可用于制备电容器的电极材料。
-
公开(公告)号：CN101885915B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010250770.3
申请日：2010-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 磁性四氧化三铁/导电聚苯胺轻质复合空心微球的制备方法，它涉及磁性四氧化三铁/导电聚苯胺复合材料的制备方法。本发明解决了现有的磁性纳米颗粒/导电高聚物复合材料密度大、易团聚的问题。本方法：调节氯化亚铁和氯化铁溶液至碱性并加入十二烷基苯磺酸钠，反应得到四氧化三铁；玻璃空心微珠碱洗后用聚二烯丙基二甲基胺盐酸盐溶液改性，然后与四氧化三铁反应，得到的固体颗粒依次用聚二烯丙基二甲基胺盐酸盐溶液和聚苯乙烯磺酸溶液浸泡，然后加到苯胺溶液中，用过硫酸铵引发聚合，经洗涤干燥得到复合空心微球。复合空心微球兼具导电性和磁性，密度0.78～0.8g/cm3，不易团聚，用于军事装备隐身技术和民用防电磁辐射领域。
-
公开(公告)号：CN101885915A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010250770.3
申请日：2010-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 磁性四氧化三铁/导电聚苯胺轻质复合空心微球的制备方法，它涉及磁性四氧化三铁/导电聚苯胺复合材料的制备方法。本发明解决了现有的磁性纳米颗粒/导电高聚物复合材料密度大、易团聚的问题。本方法：调节氯化亚铁和氯化铁溶液至碱性并加入十二烷基苯磺酸钠，反应得到四氧化三铁；玻璃空心微珠碱洗后用聚二烯丙基二甲基胺盐酸盐溶液改性，然后与四氧化三铁反应，得到的固体颗粒依次用聚二烯丙基二甲基胺盐酸盐溶液和聚苯乙烯磺酸溶液浸泡，然后加到苯胺溶液中，用过硫酸铵引发聚合，经洗涤干燥得到复合空心微球。复合空心微球兼具导电性和磁性，密度0.78～0.8g/cm3，不易团聚，用于军事装备隐身技术和民用防电磁辐射领域。
-
公开(公告)号：CN101785983A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010142012.X
申请日：2010-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种负载氧化锡的碳空心球复合材料的制备方法，它涉及碳空心球复合材料的制备方法。本发明解决了现有的负载氧化锡的碳空心球复合材料的制备方法工艺复杂、产率低的问题。本发明：1.将间苯二酚、甲醛、碳酸钠、氯化锡和水制成水相溶液；2.将正己烷和Span-80制成油相溶液；3.在搅拌下，将水相溶液滴入油相溶液，升温至60℃～85℃保持4h～48h，得到前驱体；4.将前驱体洗涤干燥；5.前驱体在用氮气或氩气保护下热处理，得到负载氧化锡的碳空心球复合材料。本发明工艺简单，碳空心球的产率为60%～80%，本发明可用于制备电容器的电极材料。
-
公开(公告)号：CN108395257A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810478171.3
申请日：2018-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/593 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基复合材料及其制备方法，具体的，氮化硅粉体和氮化硼先驱体的混合粉体在通入氨气的高温炉中得到纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体；将纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体与烧结助剂在无水乙醇中球磨混合，干燥过筛后烧结，得到致密的氮化硅基复合材料；将所获得致密氮化硅基复合材料在氮气保护气氛炉中进行高温长时间热处理，得到高热导率、高抗弯强度及高韧性的氮化硅基复合材料，满足大功率电子器件的封装材料及高超音速飞行器透波窗口材料的性能要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.031 seconds)
