一种用于磁屏蔽室构建的坡莫合金材料性能评测方法

    公开(公告)号:CN118311357B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202410468484.6

    申请日:2024-04-18

    Abstract: 一种用于磁屏蔽室构建的坡莫合金材料性能评测方法,它涉及合金屏蔽性能测评。本发明为了解决现有坡莫合金在磁屏蔽室中的屏蔽效果缺乏深入研究,导致无法满足不同应用场景对磁场屏要求的问题。步骤一:选取坡莫合金样品,并对其进行质量检查,以确保符合实验需求;步骤二:搭建实验装置;坡莫合金样品竖直放置,磁场产生线圈和磁场测量传感器分别放置在坡莫合金样品的左右两侧;步骤三:对坡莫合金样品进行屏蔽性能测评;步骤四:根据评估结果,选择最合适的坡莫合金材料,并对磁屏蔽室的结构和参数进行优化,至此,完成了对坡莫合金性能的评测。本发明用于快速、准确地评估坡莫合金在磁屏蔽室中的屏蔽效果。

    一种适用于长距离磁场屏蔽的法兰连接式屏蔽筒

    公开(公告)号:CN117835683A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410124544.2

    申请日:2024-01-29

    Abstract: 一种适用于长距离磁场屏蔽的法兰连接式屏蔽筒,它涉及元件的磁场屏蔽领域。本发明为了解决现有技术在采用焊接制造时存在连接不牢固和不紧密的问题。本发明包括基层屏蔽筒,基层屏蔽筒包括中部筒体单元和端部筒体,端部筒体的一侧端部加工有端部法兰;中部筒体单元包括多个中部屏蔽筒筒体,相邻两个中部屏蔽筒筒体之间通过中部法兰连接;端部筒体分别安装在中部筒体单元的两侧,且端部筒体的端部法兰与中部屏蔽筒筒体一侧的中部法兰连接。端部法兰在圆周方向上加工有端部凹槽,中部法兰的一侧端部加工有中部凹槽,中部法兰的另一侧端部加工有中部凸起;且端部凹槽与中部凸起之间凹凸配合,中部凹槽和中部凸起之间凹凸配合。本发明用于磁场屏蔽。

    一种通过内层套环连接的内嵌连接式磁场屏蔽筒

    公开(公告)号:CN117835682A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410124541.9

    申请日:2024-01-29

    Abstract: 一种通过内层套环连接的内嵌连接式磁场屏蔽筒,它涉及元件的磁场屏蔽领域。本发明为了解决现有的长屏蔽筒制造过程中存在材料均匀性难以保持、形状变化难以控制、以及连接不牢固和不紧密,从而导致漏磁的问题。本发明包括基层屏蔽筒,所述基层屏蔽筒包括N个屏蔽筒筒体(1)和N‑1个内层套环(2),其中,屏蔽筒筒体(1)包括两个端部筒体(1‑1)和多个中部筒体(1‑2),且端部筒体(1‑1)和中部筒体(1‑2)的壁厚和孔径相同;相邻两个中部筒体(1‑2)的连接处的内侧壁上安装有内层套环(2),并组成中部筒体单元;中部筒体单元的两端与端部筒体(1‑1)的连接处的内侧壁上安装有内层套环(2)。本发明用于磁场屏蔽。

    一种用于三轴磁通门传感器零偏标定的装夹工装

    公开(公告)号:CN116577715A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310734298.8

    申请日:2023-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种用于三轴磁通门传感器零偏标定的装夹工装,包括底座、z轴距离补偿块、第一限位杆,第二限位杆;所述底座上垂直设有两个相互平行的y轴限位板,所述y轴限位板一端垂直设有z轴限位板;两个所述y轴限位板限位板上对应位置开设有中部限位孔和端部限位孔;本发明解决磁通门传感器零偏误差标定过程中,正向测量和反向180°翻转测量过程中,传感器三轴坐标原点位置不重合引入的零偏标定误差问题。便于操作,以最小程度减小正反两次测量操作过程中,环境磁场的变化对于零偏标定误差的影响。

    一种包含磁通聚集器的金刚石NV色心磁力仪

    公开(公告)号:CN113777540A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111096679.5

    申请日:2021-09-18

    Abstract: 本发明涉及磁场测量技术领域,尤其涉及一种包含磁通聚集器的金刚石NV色心磁力仪,包括:金刚石NV色心薄片样品和至少一个磁通聚集器;磁通聚集器具有两个平行相对的底面,磁通聚集器的底面与金刚石NV色心薄片样品的底面平行设置,磁通聚集器的底面所聚集的磁通线穿过金刚石NV色心薄片样品。本发明将环境磁场放大,可以实现更高灵敏度、更大范围的磁场探测。

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