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公开(公告)号:CN103992339A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201410216301.8
申请日:2014-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07F3/02
Abstract: 合成金属有机框架物材料Mg-MOF-74的方法,它涉及Mg-MOF-74的合成方法。本发明要解决传统方法制备Mg-MOF-74材料存在后处理温度高以及成本高的问题。本发明的方法为:一、混合DMF、甲醇和去离子或DMF和去离子或DMF和乙醇;二、将六水合硝酸镁及DHTA,超声处理后得水热前驱体;三、置于反应釜内在温度为125℃条件下水热干燥24小时;四、每隔12小时用甲醇替换反应溶液,替换4次;五、在温度为100℃下真空干燥6小时,制得Mg-MOF-74材料。本发明使用甲醇取代混合溶剂中的乙醇,不但可以降低生产成本,还可以在较低的后处理温度下除去样品孔道内有机溶剂。本发明应用于Mg-MOF-74合成领域。
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公开(公告)号:CN102796333A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201210327337.4
申请日:2012-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有负温度系数效应的聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备方法,本发明涉及聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备方法。本发明是为了解决现有聚合物基温敏材料存在的导电相填充量高、室温电阻率偏大、灵敏度偏低的问题。制备方法:(一)以石墨粉为原料,采用改进的Hummers法制备氧化石墨;(二)制备氧化石墨烯N,N-二甲基甲酰胺分散液Ⅰ;(三)制备改性石墨烯(聚对苯乙烯磺酸钠接枝的石墨烯或负载纳米银的石墨烯);(四)制备以改性石墨烯为导电填料的聚偏氟乙烯基复合材料。本发明应用于聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备领域。
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公开(公告)号:CN101045561A
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN200710072135.9
申请日:2007-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G51/00 , C01F11/00 , C04B35/624 , H01L21/02
Abstract: Ca3Co4O9+δ前驱粉体的制备方法,它涉及一种热电材料前驱粉体的制备方法。它解决了现有制备Ca3Co4O9+δ前驱粉体的方法制备周期长、合成温度高、耗能大和易产生杂相的问题。本发明Ca3Co4O9+δ前驱粉体的制备方法是按以下步骤实现的:(一)配制金属离子溶液;(二)配制EDTA溶液;(三)将金属离子溶液与EDTA溶液混合并加热,升温过程中加入N,N′亚甲基双丙烯酰胺和丙烯酰胺;(四)向步骤(三)中得到的溶液中加入引发剂并加热至形成紫色凝胶;(五)将凝胶脱去水分,得到干凝胶;(六)将干凝胶煅烧,获得Ca3Co4O9+δ的前驱粉体。本发明周期短、合成温度低、耗能小、能够获得无杂相粉体、粉体粒径为50~100nm。
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公开(公告)号:CN113277744B
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202110593990.4
申请日:2021-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 一种用溶剂调控氧化镍电致变色薄膜形貌的方法,涉及一种调控氧化镍电致变色薄膜形貌的方法。本发明是要解决现有的调控氧化镍电致变色薄膜形貌的方法工艺较复杂的技术问题。本发明首次提出通过改变反应溶剂的种类来影响NiO基薄膜的形貌,进而影响电致变色性能。考察电致变色的性能包含光学调节范围和响应时间,本发明中不同形貌的NiO薄膜可以实现透过率调节范围20%~80%,响应时间着色2.5s~11s。与现有技术相比,本发明同过简单改变溶剂的种类可以生成不同形貌的NiO薄膜,形貌不同影响晶型结构不同,而晶型结构和形貌结合可调控NiO电致变色性能。
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公开(公告)号:CN108832178A
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201810639338.X
申请日:2018-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M10/0565 , H01M10/0525 , H01M2300/0082
Abstract: 单离子聚合物电解质及其制备方法和应用,本发明属于有机高分子功能材料和电化学技术领域,它了克服现有的聚合物电解质较低的玻璃化温度及较高的锂离子浓度不能兼得、较高的离子电导率与优异的力学性能不能兼得的问题。本发明通过将二羧基苯磺酸锂、聚氧化乙烯进行缩合,分离提纯,所得产物与对苯二异氰酸酯或4,4'-亚甲基双(异氰酸苯酯)进行缩聚反应,得到聚合物电解质膜。本发明的单离子型聚合物电解质能够严格调控Li+/EO的比率并形成微相分离的两相结构,使得聚合物电解质同时具备较高的电导率、较低的玻璃化温度以及优异的机械性能。同时,还具有制备简单、原料易得、锂离子迁移数和电化学稳定窗口较高等优点。
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公开(公告)号:CN104894541B
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201510329908.1
申请日:2015-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 一种高光生电流Pb(Zr0.52‑x,Cox,Ti0.48)O3‑δ薄膜的制备方法,本发明涉及一种铁电薄膜材料的制备方法,它为了解决现有锆钛酸铅薄膜光生电流小、光电转换能力低的问题。制备薄膜的方法:一、称取原料;二、将原料醋酸铅、钛酸四丁酯,丙醇锆和硝酸钴溶于乙二醇甲醚中,制备得到前驱体溶胶;三、前驱体溶胶滴在衬底上,经过多次滴胶-甩膜-预烧的过程,得到非晶态薄膜;四、非晶态薄膜置于退火炉中进行退火处理,完成此铁电薄膜的制备。本发明采用掺杂过渡元素Co的方法,提高了光生电流值,该Pb(Zr0.52‑x,Cox,Ti0.48)O3‑δ薄膜最大的光生电流可达2×10‑2uA。
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公开(公告)号:CN105271403A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510822657.0
申请日:2015-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G25/02
Abstract: 二次凝胶法结合常压干燥制备氧化锆气凝胶的方法,涉及一种氧化锆气凝胶的制备方法。是要解决现有超临界干燥方法成本高,设备昂贵,不易实现大规模生产的问题。方法:一、氧化锆湿凝胶的制备;二、ZrO2浓羹状凝胶的再凝胶及改性;三、ZrO2气凝胶的干燥。本发明采用二次凝胶方法,通过控制搅拌速度,使体系发生两次凝胶过程,提高气凝胶的骨架强度,以避免后续常压干燥过程中毛细管力对材料孔结构的影响,保证气凝胶的孔隙结构不坍塌。该方法采用常压干燥,克服了超临界干燥制备氧化锆气凝胶存在的高能耗、高成本的问题,有利于实现大规模生产。本发明用于制备氧化锆气凝胶。
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公开(公告)号:CN105037444A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510345669.9
申请日:2015-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07F15/06
CPC classification number: C07F15/065
Abstract: 一种合成金属有机框架材料Co-MOF-74的方法,它涉及一种有机框架物材料的合成方法。它是按照以下步骤进行的:取DMF、甲醇与去离子水混合后得到混液A,再称取六水合硝酸钴和2,5-二羟基对苯二甲酸加入到混液A,然后超声处理,得到混液B;将混液B转移到水热釜中,放入恒温干燥箱中干燥;每隔12小时用甲醇置换水热釜中反应溶液,置换多次;然后真空干燥,冷却至室温后,制得Co-MOF-74材料。本发明得到了纯相的棒状Co-MOF-74晶体材料,大幅简化了合成工艺的同时也能缩减实验成本。
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公开(公告)号:CN104914077A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510329909.6
申请日:2015-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 一种基于上转换发光表征钛酸锶钡陶瓷居里温度的方法,本发明属于稀土掺杂钛酸锶钡(BST)陶瓷的制备领域,它为了解决传统介电温谱表征钛酸锶钡陶瓷居里温度的方法对钛酸锶钡陶瓷样品外形要求严格以及上电极处理对样品形成损害的问题。表征方法:一、BaCO3、SrCO3和TiO2粉末混合,制备得到BST粉体;二、BST粉体干压成型,烧结处理后得到BST陶瓷;三、测试不同温度下BST陶瓷的上转换发光的光谱,做出发光波长处的发光强度随温度的变化曲线,曲线上变化率最大的点所对应的温度即为居里温度点。本发明基于上转换发光的表征方法对测试样品外形、表面积以及厚度均无限制,而且测试准确度高。
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公开(公告)号:CN104894541A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201510329908.1
申请日:2015-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 一种高光生电流Pb(Zr0.52-x,Cox,Ti0.48)O3-δ薄膜的制备方法,本发明涉及一种铁电薄膜材料的制备方法,它为了解决现有锆钛酸铅薄膜光生电流小、光电转换能力低的问题。制备薄膜的方法:一、称取原料;二、将原料醋酸铅、钛酸四丁酯,丙醇锆和硝酸钴溶于乙二醇甲醚中,制备得到前驱体溶胶;三、前驱体溶胶滴在衬底上,经过多次滴胶-甩膜-预烧的过程,得到非晶态薄膜;四、非晶态薄膜置于退火炉中进行退火处理,完成此铁电薄膜的制备。本发明采用掺杂过渡元素Co的方法,提高了光生电流值,该Pb(Zr0.52-x,Cox,Ti0.48)O3-δ薄膜最大的光生电流可达2×10-2uA。
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