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公开(公告)号:CN109202065B
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN201811450897.2
申请日:2018-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金纳米颗粒修饰银纳米线的制备方法,本发明涉及纳米材料制备领域。本发明要解决现有一维银纳米线导电性能欠佳以及透光性弱的技术问题。方法:一、去除银纳米线表面活性剂;二、稀释悬浮液;三、金纳米颗粒修饰银纳米线。本发明制备的金纳米颗粒修饰的银纳米线,具有良好的分散性,金纳米颗粒分布均匀,尺寸均一。本发明用于制备金纳米颗粒修饰银纳米线。
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公开(公告)号:CN111103719A
公开(公告)日:2020-05-05
申请号:CN202010013938.2
申请日:2020-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1334 , G02F1/1337 , C08J7/14 , C08J7/12 , C08L67/02
Abstract: 一种利用LB膜技术制备柔性反式聚合物分散液晶薄膜的方法,本发明涉及一种制备反式聚合物分散液晶薄膜的方法。本发明要解决现有的柔性R-PDLC薄膜取向效果不理想,初始透过率低,光学对比度差的问题。方法:一、透明导电柔性基材的预处理;二、LB膜的制备;三、LB膜的转移;四、液晶盒的制备;五、液晶混合物的制备;六、液晶盒灌装;七、紫外诱导相分离。本发明用于利用LB膜技术制备柔性反式聚合物分散液晶薄膜。
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