公开(公告)号：CN101532123B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200910071762.X

申请日：2009-04-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  姜春竹 ,  韩杰才 ,  雷沛

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 磁控共溅射制备高热稳定性无氢非晶碳化锗薄膜的方法，它涉及制备无氢非晶碳化锗薄膜方法。本发明现有方法得到的氢化碳化锗薄膜热稳定性差、高温红外性能下降的问题。本方法如下：将经过丙酮、质量浓度为99.5％的乙醇溶液和去离子水清洗的硫化锌加热后保温，然后通入氩气进行反溅清洗，再施加溅射功率启辉，预溅射3～5分钟至压强降至0.1帕～2帕，然后在脉冲负偏压为0～-200伏、占空比为10％～90％的条件下，对经过步骤二处理的硫化锌表面施镀，然后在真空条件下自然冷却至室温，即得无氢非晶碳化锗薄膜。本发明所得的无氢非晶碳化锗薄膜的折射率可以在2.0～4.0较大的范围内调节，本发明方法所得无氢非晶碳化锗薄膜热稳定性好、高温红外性能优良。

公开(公告)号：CN100554501C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710144777.5

申请日：2007-12-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  姜春竹 ,  韩潇 ,  贾泽纯 ,  韩杰才 ,  张宇民

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C23C14/54

Abstract: 采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，它涉及碳化硅反射镜表面的涂膜方法。它解决了现有反射镜的两相具有相差悬殊的硬度值，使抛光的均匀性受到影响，加工难度高；反射镜的粗糙度较高、表面易损伤的问题。本发明的方法为：一、将碳化硅反射镜进行清洗；二、将碳化硅反射镜置于磁控溅射真空仓内的加热台上；三、将真空仓内抽真空，对碳化硅反射镜加热；四、通入Ar气，启动电离电源，对碳化硅反射镜表面进行电离清洗；五、向反射镜表面进行磁控溅射沉积镀膜。本发明方法制备的硅膜致密性好，覆盖了碳化硅表面的两相组织，易于抛光，光学精度高，硅膜与反射镜表面的结合性好。