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公开(公告)号：CN104987072B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510423779.2
申请日：2015-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/499 , C04B35/64
Abstract: 高电学性能的铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅弛豫铁电织构陶瓷及应用，本发明涉及压铁电材料领域。本发明要解决现有PIN-PMN-PT单晶组分分凝、可用尺寸受限、力学性能差、PIN-PMN-PT陶瓷电学性能低的问题。化学通式为xPb(In1/2Nb1/2)O3-(1-x-y)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3-avol.％BaTiO3；方法：二步合成法制备PIN-PMN-PT细晶基体粉体，局部化学微晶取代法制备BaTiO3片状微晶模板，采用模板晶粒定向生长技术制备沿[001]高度取向的PIN-PMN-PT基三元系弛豫铁电织构陶瓷。应用于超声换能器、压电驱动器及压电传感器领域。
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公开(公告)号：CN102176024B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110042399.6
申请日：2011-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多脉冲门延迟距离选通激光成像雷达，属于激光雷达技术领域。它解决了现有距离选通激光成像雷达的距离分辨率低的问题。它将时钟信号源的时钟信号输出给同步脉冲控制电路，同步脉冲控制电路发出驱动脉冲信号给脉冲调制激光器，同时同步脉冲控制电路的延迟信号发送给控制系统，当控制系统发送给距离门延迟电路延迟信号后，控制系统会将此时同步脉冲控制电路发出的驱动脉冲信号序数发送给图像编码系统，使图像编码系统将当前接收到的光信号图像按相同的序数进行编号，光信号图像通过ICCD探测器进行采集，采用光学发射天线和光学接收天线分别发射激光和接收目标的激光回波脉冲信号。本发明适用于目标的距离探测。
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公开(公告)号：CN105084898B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510482816.7
申请日：2015-08-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 一种低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷材料，本发明涉及一种低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷材料、制备方法及其应用。本发明要解决现有PIN‑PMN‑PT陶瓷烧结温度高，铅挥发严重引发环境污染、材料性能下降、生产成本高的问题。陶瓷材料的化学通式为xPb(In1/2Nb1/2)O3‑(1‑x‑y)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3‑awt.％CuO。方法：一、固相反应合成MgNb2O6前驱体；二、固相反应合成InNbO4前驱体；三、固相反应合成PIN‑PMN‑PT基体粉体；四、固相合成技术结合流延叠层工艺制备低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷。本发明用于制备大功率压电蜂鸣器和多层压电器件。
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公开(公告)号：CN101609153B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910072513.2
申请日：2009-07-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01S17/89
Abstract: 单光子探测紫外脉冲激光3D成像雷达，它属于激光雷达领域。它解决了现有激光雷达缺少抑制阳光背景噪声的能力，系统整体探测灵敏度低，探测距离小，无法进行3D成像的问题。本发明由光学发射天线、紫外脉冲调制激光器、同步脉冲控制电路、时钟信号源、延迟电路、增益函数发生器、计算机、MAMA紫外单光子探测器和光学接收天线组成，其中紫外脉冲调制激光器在同步脉冲控制电路的驱动脉冲的作用下发出紫外波段的激光脉冲信号，此信号输入到光学发射天线，激光回波脉冲信号由光学接收天线的光输出端到MAMA紫外单光子探测器的光输入端，增益函数发生器的两个增益信号输出端分别与MAMA紫外单光子探测器的两个增益信号输入端相连。
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公开(公告)号：CN102176024A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110042399.6
申请日：2011-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多脉冲门延迟距离选通激光成像雷达，属于激光雷达技术领域。它解决了现有距离选通激光成像雷达的距离分辨率低的问题。它将时钟信号源的时钟信号输出给同步脉冲控制电路，同步脉冲控制电路发出驱动脉冲信号给脉冲调制激光器，同时同步脉冲控制电路的延迟信号发送给控制系统，当控制系统发送给距离门延迟电路延迟信号后，控制系统会将此时同步脉冲控制电路发出的驱动脉冲信号序数发送给图像编码系统，使图像编码系统将当前接收到的光信号图像按相同的序数进行编号，光信号图像通过ICCD探测器进行采集，采用光学发射天线和光学接收天线分别发射激光和接收目标的激光回波脉冲信号。本发明适用于目标的距离探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101526619B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200910071695.1
申请日：2009-04-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于无扫描激光雷达与CCD相机的同步测距测速系统。本发明涉及激光雷达测量领域，它解决了现有的无扫描激光雷达只能获得物体的距离信息，无法获得运动信息的问题。本发明的系统中的无扫描激光雷达由发射和接收两部分组成，发射部分包括脉冲激光器和发射光学整形系统，接收系统包括ICCD成像器和接收光学系统；在本发明的系统中还结合了CCD相机，并与所述的无扫描激光雷达共用接收光学系统，在其前加入带阻滤波片从而接收光信号，在尽量避免增大系统结构复杂程度的情况下，在较短的曝光时间内对运动物体同步获得距离信息和运动信息，主要应用在运动物体的测量中。
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公开(公告)号：CN101526619A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910071695.1
申请日：2009-04-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于无扫描激光雷达与CCD相机的同步测距测速系统。本发明涉及激光雷达测量领域，它解决了现有的无扫描激光雷达只能获得物体的距离信息，无法获得运动信息的问题。本发明的系统中的无扫描激光雷达由发射和接收两部分组成，发射部分包括脉冲激光器和发射光学整形系统，接收系统包括ICCD成像器和接收光学系统；在本发明的系统中还结合了CCD相机，并与所述的无扫描激光雷达共用接收光学系统，在其前加入带阻滤波片从而接收光信号，在尽量避免增大系统结构复杂程度的情况下，在较短的曝光时间内对运动物体同步获得距离信息和运动信息，主要应用在运动物体的测量中。
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公开(公告)号：CN101498786A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910071450.9
申请日：2009-02-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: ICCD增益调频连续波调制无扫描距离成像器，属于光电成像领域。本发明的目的是解决目前基于自混频探测器的无扫描FM/CW装置获取目标距离像的性能不稳定、难以应用的问题。半导体激光器发射出的激光光束经发射光学整形系统整形后照射到目标上，经目标反射后的激光光束被接收光学系统接收、汇聚至ICCD面阵探测器形成回波信号，调频连续波函数发生器发出的激光经高压调制电源与ICCD面阵探测器相连形成ICCD调制信号，ICCD调制信号与回波信号进行混频后，并由控制处理器进行傅立叶变换处理，获得与目标的距离。用于光学领域激光测距。
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公开(公告)号：CN109400147B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811421334.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B41/88 , H02N2/18
Abstract: 一种应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用，本发明涉及一种无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用。本发明要解决现有无铅压电陶瓷能量密度低，基于传统固溶体或者随机掺杂的理念使得材料的能量收集性能提升幅度非常有限的问题。应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料的化学通式为(1‑x)(Ba1‑yCay)(Ti1‑zMz)O3/xBaTiO3。方法：一、制备细晶壳基体粉体；二、制备流延浆料；三、制备陶瓷素坯；四、制备织构复合陶瓷；五、制备高度致密的织构复合陶瓷；六、制备高性能织构复合陶瓷。应用：用作环保型高功率密度微型化能量收集器。
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公开(公告)号：CN108147452A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810143645.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C01G23/005 , B82Y40/00 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/01 , C01P2004/03
Abstract: 一种尺寸可控的低维钛酸锶晶体的合成方法及应用，它涉及一种钛酸锶晶体的合成方法及应用。本发明的目的是要解决采用现有制备工艺制备的片状SrTiO3晶体中存在粒径尺寸过大且可调控范围相对较窄、晶体为多晶聚集体，晶体中杂质原子含量高、造成其应用中存在范围窄、稳定性差、取向度低、性能恶化的问题。方法：一、制备前驱体混合原料；二、煅烧制备前驱体；三、清洗、分散得到粒径均一且尺寸可调控的片状Bi4Ti3O12前驱体；四、制备产物混合原料；五、煅烧制备产物；六、清洗。应用：用于光催化、纳米器件、有机填充料及能量存储、高性能多功能电子织构陶瓷、薄膜、单晶的制备领域。本发明可获得一种尺寸可控的低维钛酸锶晶体。
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