公开(公告)号：CN109183146A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811213111.5

申请日：2018-10-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  舒国阳 ,  代兵 ,  杨磊 ,  李一村 ,  刘雪冬 ,  刘康 ,  孙明琪 ,  王杨 ,  赵继文 ,  姚凯丽 ,  刘本建 ,  王伟华 ,  薛晶晶 ,  韩杰才

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及单晶金刚石籽晶缺陷的消除方法。本发明要解决现有MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、制备遮挡掩体；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、电感耦合等离子体处理。本发明用于一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。