一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN109775672A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910237206.9

    申请日:2019-03-27

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法,属纳米材料制备的技术领域。将Al粉与Mn粉混匀压块;将压块置于石墨锅内,放入卧式直流电弧放电装置的真空腔内作为阳极,阴极采用钨杆;阴极与阳极相对水平放置;将反应室内充入氮气,阳极和冷凝壁通循环冷却水。放电过程中旋转阴极钨杆,保持电压20~40V,电流80~200A,反应时间2~5分钟。之后在氮气中钝化6~7小时,在冷凝壁上收集黄色绒毛状粉末。本发明方法简单、反应快速、低成本、无污染、样品纯度高、可重复性好、无需催化剂和表面活性剂。制备的样品在紫光照射下,发出红光,是一种LED荧光材料;在室温下具有铁磁性,是一种稀磁半导体材料。

    钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法

    公开(公告)号:CN102910598A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201210428142.9

    申请日:2012-10-31

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法属于半导体自旋电子器件材料的技术领域。钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管呈六边形柱状结构,外表面光滑,内部有凹凸不平的褶皱,形成多孔结构。制备方法是以Al粉和Y粉为原料,以氮气为反应气体,在直流电弧等离子体放电装置中进行制备;将反应室抽真空,充入反应气体开始放电;放电反应3~5min后切断电源;静置再氩气钝化,在钨杆的阴极沉积区收集毛绒状块体。本发明所制备的样品产量大、纯度高、晶形完整、形貌尺寸均一,并且制备时间短、耗能少、成本低;制备过程中不需要任何基片、模板、催化剂,对环境友好、可重复性高。

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