公开(公告)号：CN104681677B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201510086426.8

申请日：2015-02-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董鑫 ,  杜国同 ,  殷景志 ,  张源涛 ,  张宝林

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及一类具有微孔结构的NiO‑AlGaN紫外发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的AlN缓冲层和下限制层、下限制层上制备的相互分立的AlGaN材料系多量子阱发光层和下电极、发光层上制备的p型AlGaN上限制层、上限制层上制备的p型空穴注入层、空穴注入层上面制备的上电极构成，下限制层是两次完成生长的具有微孔结构的n‑AlGaN外延层，p型空穴注入层是p型NiO薄膜，p型AlGaN上限制层的厚度为5～150nm。本发明利用微孔高效吸收应力与位错，提高外延层晶体质量，利用高空穴浓度的NiO薄膜提高空穴注入效率，以提高紫外发光管的输出功率和效率。

公开(公告)号：CN102749726B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201210205531.5

申请日：2012-06-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高福斌 ,  高放 ,  杜国同 ,  殷景志 ,  马艳 ,  吴国光 ,  李万程

IPC: G02F1/017

Abstract: 本发明属于光电子技术领域，涉及一种改进的基于GaN/AlN耦合量子阱子带间跃迁吸收的近红外通信波段条形波导电光调制器及其制备方法。由底金属电极（1）、导电碳化硅单晶衬底（2）、GaN缓冲层（3）、SiO2掩模层（4）、AlGaN下包层（5）、GaN/AlN耦合量子阱周期超晶格波导芯层（6）、AlGaN上包层（7）和金属上电极（8）构成；本发明可以有效降低导波光的传播损耗，同时使后期器件制备工艺大为简化，更有利于器件实用化，也便于实现与其它器件单片集成；另外，由于衬底导电，器件能够采用垂直调制电极结构，使调制电场与波导光场完全重合，最大限度提高调制效率，获得更高器件消光比。