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公开(公告)号：CN101123222A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710056020.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明属于平板显示驱动技术领域，具体涉及一种有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法。首先是制作多晶硅薄膜，然后光刻形成TFT区、电容下极板区、有机电致发光二极管的阳极区和重掺杂多晶硅的连线；制作栅绝缘层之后光刻形成过孔，用于连接多晶硅和金属；再溅射金属，光刻金属，形成金属栅极和金属连线，同时给电容下极板掺杂区开出掺杂窗口，之后再利用自对准进行掺杂，对TFT的源漏电极，多晶硅短线互连区，电容下极板需要掺杂区进行重(BH3)P型掺杂；最后制备绝缘层、发光窗口、OLED发光层。本发明所述方法的整个工艺过程只需要4次光刻，与通常的Poly－Si TFT工艺过程相比减少2次以上，具有工艺简单的优良效果。
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公开(公告)号：CN1256362C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03127170.7
申请日：2003-09-22
Applicant: 吉林大学
IPC: C08G63/682 , C08G63/78
Abstract: 本发明属于高分子材料领域，具体涉及一种含氟聚酯、合成方法及该聚酯在有机聚合物阵列式波导光栅中用作包层和芯层材料的应用。聚酯的制备是用1，1，1，3，3，3，-六氟双酚A和2.5倍摩尔当量的乙酸酐反应制备六氟双酚A二乙酸酯，再将得到的六氟双酚A二乙酸酯和等摩尔当量的六氟戊二酸、顺丁烯二酸以及非必要的对苯二甲酸在200-220℃条件下反应2-4小时得到预聚物，将预聚物在240℃下聚合24-36小时，经溶解沉淀即得到含氟聚酯，其数均分子量为8000～12000，在1.55微米处的折射率为1.4781～1.512，光损耗为0.56～0.64dB/cm，Tg为102℃～110℃。
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公开(公告)号：CN1236335C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN03127171.5
申请日：2003-09-22
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明属于有机聚合物阵列波导光栅及其制作方法：以单晶硅片为衬底(1)，在硅片上涂覆聚合物下包层材料(2)后进行烘干，然后旋涂聚合物芯层材料(3)；烘干后在芯层材料上蒸发或溅射铝膜(4)，再在铝膜上涂覆光刻胶(5)，用阵列波导光栅掩膜板(7)进行光刻；然后进行氧反应离子刻蚀(9)；刻蚀后在聚合物芯层材料上得到阵列波导光栅的图形，再旋涂聚合物上包层材料(12)，烘干后得到阵列波导光栅。本发明的器件及其制作方法不仅容易控制聚合物芯层(13)和包层材料((2)、(12))的折射率差，而且容易控制每一层材料的厚度；可灵活选择包层和芯层材料，实现优化设计，器件成本低，成品率高，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN1187470C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN03110977.2
申请日：2003-01-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于有机电致发光镀膜机的坩埚式蒸发源。坩埚式蒸发源由支座、热电偶测温系统、加热体炉子及坩埚组成。炉子由上、下两个95#陶瓷圆环片(9)、金属钼炉丝(8)、位于上下两个陶瓷圆环片(9)间的筒状石英玻璃内屏蔽层(7)和筒状不锈钢外屏蔽层(6)组成，炉丝(8)上下回绕、通过另一小陶瓷圆环(12)嵌于两个陶瓷圆环片(9)内；上下两个95#陶瓷圆环片(9)用3个钼螺丝杆(5)连接在一起，炉体可以稳固地放置在陶瓷绝缘支座(4)上。该蒸发源具有寿命长、终年不需更换和维护、控温性能优越、蒸发速率稳定、保温性能好、同一真空室的各个蒸发源之间不互相污染、操作方便等优点。
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公开(公告)号：CN1331194C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410010970.6
申请日：2004-06-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜的制造方法，包括①在绝缘衬底(10)上沉积非晶硅薄膜(11)；②在(11)上沉积金属隔离层(12)；③在(12)上蒸发一层诱导金属层(13)；④在(13)之上沉积一层介质作为金属上扩散层(14)；⑤在保护气体中采用低温(＜600℃)退火，实现非晶硅到多晶硅的晶化；⑥采用刻蚀工艺将金属上扩散层(14)、诱导金属层(13)、金属隔离层(12)去除等步骤。采用本发明的方法，可对进入非晶硅层的金属原子数量进行调控，以获得大晶粒的多晶硅薄膜；同时金属与硅层不直接接触，避免了残留金属的污染；还可增加诱导金属层的厚度，提高工艺的可操作性和可重复性。
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公开(公告)号：CN1595662A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410010983.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明涉及多栅双沟道结构多晶硅薄膜晶体管，由绝缘基底(1)、SiO2缓冲层(51)、栅电极绝缘层(53)、在栅电极绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)组成，SiO2缓冲层(51)上还生长有一层栅电极绝缘层(52)，在栅电极绝缘层(52)内有底栅电极(23)，底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接；在栅电极绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)。本发明的TFT器件与在同样条件下制备的TFT有着同量级关态漏电流的同时，具有开态电流增加一倍、相同宽长比TFT驱动负载能力增大、提供同样电流在集成矩阵中占更小面积、有效提高开口率等优良效果。
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公开(公告)号：CN1189587C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN03111338.9
申请日：2003-03-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于机械领域，具体涉及一种安装于有机发光镀膜机基片架前的具有自动识别功能的小挡板。基片小挡板由安装在托板上的两个半圆形能够开合并与基片架同步公转的平板构成的基片小挡板(37)、磁力传动机械手(31)、推拉控制板(38)、传感器(44)和位置探测器(45)及自动识别电路构成。半圆形小挡板(37)与推拉控制板(38)一同安装在托板(12)上，托板(12)安装在行星式旋转基片架(8)的公转轴(13)上，位于基片(7)及大挡板(6)之间，与行星式旋转基片架(8)同步转动。小档板可以很方便地对相应基片的镀膜条件进行控制，从而实现在一个实验周期内作出多个试样的目的，从而有效地提高有机镀膜的工作效率。
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公开(公告)号：CN1526749A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03127170.7
申请日：2003-09-22
Applicant: 吉林大学
IPC: C08G63/682 , C08G63/78
Abstract: 本发明涉及－种用1，1，1，3、3、3、－六氟双酚A和六氟戊二酸采用酯交换法合成的含氟聚酯、制备方法及聚酯在有机聚合物阵列式波导光栅中用作包层和芯层材料的应用。聚酯的制备是用1，1，1，3、3、3、－六氟双酚A和2.5倍摩尔当量的乙酸酐反应制备六氟双酚A二乙酸酯，再将得到的六氟双酚A二乙酸酯和等摩尔当量的六氟戊二酸在220－240℃条件下反应2－4小时得到的分子量预聚物，将预聚物在240℃下聚合24－36小时，经溶解沉淀即得到含氟聚酯，其数均分子量为8000～12000，在1.55微米处的折射率为1.4781～1.512，光损耗为0.56～0.64dB/cm，Tg为102℃～110℃。
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