公开(公告)号：CN101740518A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910226221.X

申请日：2009-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  徐帆毅 ,  林舜武 ,  古淑瑗 ,  欧阳晖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32134 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/11 ,  H01L29/66583

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括通过一个循环从位于衬底上的栅极结构去除硅材料，该循环包括：蚀刻硅材料以去除其一部分，其中，衬底以旋转速率旋转，将清洁剂施加至衬底，并干燥衬底；以及重复该循环，其中，随后循环包括用于使衬底在蚀刻期间旋转的随后旋转速率，并且随后旋转速率不超出先前循环的旋转速率。

公开(公告)号：CN101740506A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910210094.4

申请日：2009-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  林舜武 ,  王崇铭 ,  陈启群

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：在半导体衬底上形成第一、第二、第三和第四栅极结构，每个栅极结构具有伪栅极，从所述第一、第二、第三和所述第四栅极结构上除去所述伪栅极，从而分别形成第一、第二、第三和第四沟槽，形成金属层以部分地填充所述第一、第二、第三和第四沟槽，在所述第一、第二和第三沟槽上方形成第一光致抗蚀剂层，蚀刻所述第四沟槽中的部分金属层，除去所述第一光致抗蚀剂层，在所述第二沟槽和所述第三沟槽上方形成第二光致抗蚀剂层，蚀刻所述第一沟槽中的金属层以及所述第四沟槽中剩余部分的金属层，以及除去所述第二光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN101908499B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200910246511.0

申请日：2009-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡方文 ,  叶明熙 ,  王明俊 ,  林舜武 ,  陈启群 ,  魏正泉 ,  陈其贤

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明揭露一种制造具有改善的性能的集成电路的方法。此方法包含：提供一基材；形成一硬掩膜层于此基材上；形成一光阻层于该硬掩膜层上；图案化该硬掩膜层上的该光阻层，以在此硬掩膜层上限定出多个被保护的部分和多个未被保护的部分；进行一第一蚀刻制程、一第二蚀刻制程和一第三蚀刻制程于硬掩膜层的未被保护的部分上，其中第一蚀刻制程部分地去除硬掩膜层的未被保护的部分，第二蚀刻制程修正硬掩膜层的其余未被保护的部分相较于被保护部分的蚀刻选择性，第三蚀刻制程去除硬掩膜层的其余的未被保护的部分；以及进行一第四蚀刻制程，以去除硬掩膜层的被保护的部分。

公开(公告)号：CN102214564B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201010280598.6

申请日：2010-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  徐帆毅 ,  林舜武 ,  欧阳晖 ,  杨棋铭

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了一种利用经处理的硬罩幕制造半导体元件的闸极电极的方法。首先，提供复晶硅闸极电极层于基材上。在一实施例中，对前述复晶硅闸极电极层进行一处理，以将一物种导入至复晶硅闸极电极层内，并于复晶硅闸极电极层内形成一电性中和区。然后，形成限定厚度的硬罩幕层于经处理的复晶硅闸极电极层上。在图案化硬罩幕层以及经处理的复晶硅闸极电极层以形成闸极结构后，对基材进行倾斜角离子植入步骤。

公开(公告)号：CN101740506B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200910210094.4

申请日：2009-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  林舜武 ,  王崇铭 ,  陈启群

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：在半导体衬底上形成第一、第二、第三和第四栅极结构，每个栅极结构具有伪栅极，从所述第一、第二、第三和所述第四栅极结构上除去所述伪栅极，从而分别形成第一、第二、第三和第四沟槽，形成金属层以部分地填充所述第一、第二、第三和第四沟槽，在所述第一、第二和第三沟槽上方形成第一光致抗蚀剂层，蚀刻所述第四沟槽中的部分金属层，除去所述第一光致抗蚀剂层，在所述第二沟槽和所述第三沟槽上方形成第二光致抗蚀剂层，蚀刻所述第一沟槽中的金属层以及所述第四沟槽中剩余部分的金属层，以及除去所述第二光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN102214564A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010280598.6

申请日：2010-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  徐帆毅 ,  林舜武 ,  欧阳晖 ,  杨棋铭

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了一种利用经处理的硬罩幕制造半导体元件的闸极电极的方法。首先，提供复晶硅闸极电极层于基材上。在一实施例中，对前述复晶硅闸极电极层进行一处理，以将一物种导入至复晶硅闸极电极层内，并于复晶硅闸极电极层内形成一电性中和区。然后，形成限定厚度的硬罩幕层于经处理的复晶硅闸极电极层上。在图案化硬罩幕层以及经处理的复晶硅闸极电极层以形成闸极结构后，对基材进行倾斜角离子植入步骤。

公开(公告)号：CN101908499A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910246511.0

申请日：2009-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡方文 ,  叶明熙 ,  王明俊 ,  林舜武 ,  陈启群 ,  魏正泉 ,  陈其贤

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明揭露一种制造具有改善的性能的集成电路的方法。此方法包含：提供一基材；形成一硬掩膜层于此基材上；形成此硬掩膜层的多个被保护的部分和多个未被保护的部分；进行一第一蚀刻制程、一第二蚀刻制程和一第三蚀刻制程于硬掩膜层的未被保护的部分上，其中第一蚀刻制程部分地去除硬掩膜层的未被保护的部分，第二蚀刻制程处理硬掩膜层的未被保护的部分，第三蚀刻制程去除硬掩膜层的其余的未被保护的部分；以及进行一第四蚀刻制程，以去除硬掩膜层的被保护的部分。