公开(公告)号：CN104347630A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310482171.8

申请日：2013-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  徐廷鋐

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/84 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供了一种集成电路（IC）器件及其制造方法。该方法包括提供包括衬底的前体，衬底具有第一和第二金属氧化物半导体（MOS）区。第一和第二MOS区包括第一和第二栅极区、第一和第二半导体层堆叠件、第一和第二源极/漏极区以及第一和第二隔离区。该方法包括露出并且氧化第一半导体层堆叠件以形成第一外氧化物层和第一内纳米线，以及去除第一外氧化物层以露出第一栅极区中的第一内纳米线。第一高k/金属栅极（HK/MG）堆叠件包裹环绕第一内纳米线。该方法包括露出并且氧化第二半导体层堆叠件以形成第二外氧化物层和第二内纳米线，以及去除第二外氧化物层以露出第二栅极区中的第二内纳米线。第二HK/MG堆叠件包裹环绕第二内纳米线。