一种氟化物发光材料的表面改性方法及其制备得到的氟化物发光材料

    公开(公告)号:CN111171815B

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN201811348987.0

    申请日:2018-11-13

    Inventor: 朱浩淼 黄得财

    Abstract: 一种氟化物发光材料的表面改性方法及其制备得到的氟化物发光材料,所述材料是将无机包覆层AxMFy包覆的基体材料AxMFy:Mn4+与含有金属磷酸酯或烷氧基硅烷或有机羧酸类物质或有机胺的有机溶液混合,通过将溶液蒸干,制备得到本发明的有机包覆层‑无机包覆层共同包覆的表面改性的氟化物发光材料。该包覆方法显著提高了氟化物荧光粉的耐蚀性,改性后荧光粉在高温高湿环境下其发光强度和量子效率保持率达到85‑95%,可广泛用于白光LED背光源显示领域。该无机包覆后,减少了荧光粉的表面缺陷,荧光粉的发光强度及量子产率有5%‑15%的提升。有机包覆层包覆后,荧光粉的发光强度降低量

    一种具有高热稳定性近紫外光激发的蓝色荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:CN115477941B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202110668686.1

    申请日:2021-06-16

    Abstract: 本发明提供了一种具有高热稳定性近紫外光激发的蓝色荧光粉及其制备方法,按本发明制备的蓝色荧光粉颗粒小且分布均匀,分散性较好,结晶性好,发光效率高;本发明制备的蓝色荧光粉热稳定性优异,在150℃下蓝色荧光粉发射强度与室温下的发射强度相同,适用于大功率发光器件;本发明制备的蓝色荧光粉可通过M离子浓度的调节,实现激发峰值波长向长波方向移动,激发峰值波长在330~390nm范围内可调。本发明制备的蓝色荧光粉的激发波长可调,与多种紫外光或者近紫外光LED芯片的发射波长非常吻合,在紫外光或近紫外光LED激发下,该荧光粉可发出明亮的蓝色荧光,发光波长以460nm为主,可以广泛用作制备白光LED的荧光材料。

    一种钨钼酸盐近红外发光材料、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114686220A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202011606173.X

    申请日:2020-12-28

    Inventor: 朱浩淼 黄得财

    Abstract: 本发明公开一种钨钼酸盐近红外宽带发射的发光材料、其制备方法及包含该材料的发光装置,该发光材料的化学组成以化学式ARO4:xCr3+来表示,其中,A元素为IIA族和Zn、Cd、Fe、Co、Cu、Ni元素中的一种、两种或更多种,R为W、Mo中的一种或他们之间的组合,Cr3+为发光中心离子,其中0.01mol%≤x≤80mol%。本发明的发光材料采用高温固相烧结法合成,制备工艺简单、环保、成本低。本发明提供的发光材料能够被紫光、蓝光或红光LED芯片激发,发射出700‑1400nm的宽带近红外光,其发射峰值可达到850‑1100nm,从而解决了现有近红外发光材料发射峰值偏短波的问题。

    纳米-亚微米氟化物发光材料及制备方法和发光装置

    公开(公告)号:CN114276804A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202011045698.0

    申请日:2020-09-28

    Inventor: 朱浩淼 黄得财

    Abstract: 本发明公开了一种纳米‑亚微米氟化物发光材料、其制备方法及包含该材料的发光装置。该发光材料的化学组成以化学式A2MF6:Mn4+来表示,其中,A选自碱金属Li,Na,K,Rb,Cs中的一种或它们之间的组合;M选自Ti,Si,Ge,Sn,Zr中的一种或它们之间的组合;该制备方法工艺简单,成本低,适合规模化生产。该纳米‑亚微米发光材料优异的分散性、发光效率高,发射峰半峰宽窄,其粒径尺寸可适配于Micro/Min‑LED等发光装置上。

    一种在近红外长余辉发光的纳米材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114250073A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202011027645.6

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明提供了一种近红外的长余辉纳米材料,其发光中心分别为Ce3+和Ln3+,其发光区域位于可见光及近红外一区及近红外二区。该材料可通过掺杂的Ln3+对长余辉发射峰在900‑1700nm范围内进行调控,还可通过基质材料组分A3AlxGayO12的调节,实现长余辉材料中陷阱深度的调节,从而实现长余辉强度及时间的调节。本发明提供的长余辉发光材料的制备方法以盐微乳法进行合成,所合成的长余辉纳米材料的尺寸可控,粒径较小,分散性较好,成本低,对环境没有污染。

    一种钙钛矿CsPbX3纳米晶及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113846373A

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202010599615.6

    申请日:2020-06-28

    Inventor: 朱浩淼 陈德建

    Abstract: 本发明公开一种钙钛矿CsPbX3纳米晶及其制备方法和应用。该制备方法包括:在惰性氛围下,加热具有等效化学计量比的金属卤化物APbX3前驱体溶液,其中A为H和/或DMA离子,X为一种或多种卤素,加入铯前驱体溶液到混合溶液中,进行反应并迅速冷却,得到CsPbX3纳米晶。采用易制备、易保存的APbX3化合物作为铅和卤素源,合成的CsPbX3纳米晶缺陷少,避免了卤素缺陷导致钙钛矿结构受光、热、氧和水的影响而降解,展现了优异的物化稳定性,并且进一步提高纳米晶的发光效率。该方法原料便宜易得、制备简单,得到的纳米晶更稳定、实验重现性好,适合工业化推广制备。

    一种近红外长余辉发光纳米材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112779004A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN201911090319.7

    申请日:2019-11-08

    Inventor: 朱浩淼 林雅玲

    Abstract: 本发明提供一种近红外长余辉发光纳米材料及其制备方法与应用。该近红外发光材料以化学式ZnxMyGa2O4:aCr3+,bLn3+来表示,Cr3+和Ln3+为发光中心离子,M为Ca、Sr和Ba中的至少一种;Ln为稀土元素Yb,Er,Nd,Tm,Ho,Pr中的至少一种;0<x≤1,0≤y≤1,且x+y=1;0.01mol%≤a≤5mol%,0.01mol%≤b≤10mol%。该以介孔二氧化硅作为模板制备得到。该材料的发光中心离子分别为Cr3+和Ln3+,其发光区域位于近红外二区,所合成的长余辉纳米材料尺寸可控,粒径较小,且为单分散,方法简单,成本低,对环境没有污染。

    一种变温光谱测量装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105403548A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510898434.2

    申请日:2015-12-08

    Inventor: 朱浩淼 马恩

    CPC classification number: G01N21/6402

    Abstract: 本发明涉及一种变温光谱测量装置,该装置包括激发光源、积分球、控温样品台、温度控制器和探测器;其中,温度控制器用于控制控温样品台的温度,激发光源与积分球以及积分球与探测器之间通过光纤相连接;激发光源发出的激发光通过光纤引入到积分球的积分球入射口并入射在控温样品台上,控温样品台上放置样品时样品发出的光或者控温样品台上未放置样品时控温样品台反射的光通过积分球出射口经光纤收集后引入到探测器,通过对比放置和未放置样品时探测器检测到的发射光谱的差异,计算得到发光量子产率,从而实现对样品发光的测量。本发明结合激发光源及探测器,可实现发光材料的变温发射光谱、量子产率等光学性能的测量。

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