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公开(公告)号：CN210407208U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201920979499.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 厦门大学九江研究院
IPC: A41D19/015
Abstract: 本实用新型涉及一种带柔性显示屏的智能手套，包括手套本体，所述手套本体上设有控制装置、显示装置、通信装置、电源装置和传感器组件；所述显示装置、所述通信装置和所述传感器组件与所述控制装置电性连接；所述控制装置、所述通信装置和所述传感器组件均设置于所述手套本体内部；所述电源装置为所述显示装置、所述通信装置与所述控制装置供电；所述传感器组件包括温度传感器、距离传感器、重力传感器、九轴传感器、力反馈传感器、生理参数传感器。本实用新型的有益效果为：手套柔性好、保暖效果好、实用性强、使用方便，带来了更好的用户体验，特别是在运动健身、健康监测方面。
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公开(公告)号：CN116154030B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310205107.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 厦门大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。包括小面积横纵向的吸收倍增分离(SAM)结构和纵向p‑i‑n结构，p+型欧姆接触层、n型倍增层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成横纵向相结合的小面积SAM结构，p‑型吸收层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成纵向大面积的p‑i‑n结构。SAM结构和p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，p‑i‑n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至SAM结构中的n型倍增层进行载流子的雪崩倍增效应，再漂移至p+型欧姆接触层收集形成电流信号，避免光生载流子复合问题，提高光生载流子收集效率，提高极紫外和深紫外波段信号探测效率，获得更高器件响应度。
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公开(公告)号：CN112117337B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011012078.7
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P+层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P+层刻蚀到达吸收层的上表面，微孔的壁面设有钝化层。当紫外光入射到探测器芯片上时，一部分被P+层吸收或者反射；另一部分被吸收层吸收并产生电子‑空穴对，在耗尽区内建电场的驱动下分离，并运动到探测器两端的电极，最后搭载外部负载电路形成电信号，通过检测电信号的大小，就可以判定紫外线强度的大小。微孔结构可减少P+层对紫外光的吸收，使得微孔处，光直接被吸收层吸收，提高探测器的响应度和量子效率，显著增加紫外光电探测器的实用性能。
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公开(公告)号：CN112117336A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011005272.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L23/52 , H01L27/144 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N+型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P+层，用于制备阵列的单个像素点；所述P+层上设有P型金属电极；光从背面的N+型4H‑SiC衬底进行照射，所述N+型4H‑SiC衬底上对应P+层的位置刻蚀有贯穿N+型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N+型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。
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公开(公告)号：CN108400197B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810402996.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 具有球冠结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备方法，紫外光电探测器采用p‑i‑n结构，在高掺杂偏轴4°的双抛N+型4H‑SiC衬底上，依次生长N型缓冲层和i型吸收层，在i型吸收层形成弧形倾斜台面，形成球冠状i型吸收层表面；注入和高温退火激活工艺在球冠状i型吸收层上表面形成P+型层；然后通过热氧化方法在P+型层的表面生长二氧化硅钝化层；通过光刻工艺、ICP刻蚀工艺和剥离工艺在P+型层的二氧化硅钝化层上刻蚀出P型环状电极窗口并采用磁控溅射工艺形成P型电极；刻蚀背面高掺杂偏轴4°的双抛N+型4H‑SiC衬底，并采用磁控溅射工艺形成N型电极，从而制成具有球冠结构的4H‑SiC紫外光电探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231953A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711482215.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 一种MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器的制备方法，涉及紫外光电探测器的制备。在n型4H‑SiC衬底外延生长一层半绝缘层后，将材料样品切割成矩形条状样品，采用标准RCA程序清洗表面，进而采用电热分解生长方法，通过环境条件、温度及生长时间控制，使用DC直流电源通电于矩形条状样品两端，直接在4H‑SiC外延层的Si面热生长多层石墨烯薄膜，优化生长技术条件，通过光刻图形化，结合ICP刻蚀，在器件表面制备出MSM结构用的叉指电极；溅射沉积组合金属焊盘，再在样品表面通过等离子体增强化学气相沉积法覆盖生长一层致密的SiO2作为钝化层；用光刻与刻蚀工艺，去除圆形焊盘区域上的SiO2，即得。
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公开(公告)号：CN116646393A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310728738.9
申请日：2023-06-19
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L27/15 , H01L21/331
Abstract: 一种光增强消除折回现象的逆导型IGBT器件，由多个元胞并联形成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂集电区、N型掺杂漂移区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、P型掺杂的沟道区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极、LED元胞；该器件通过将IGBT的顶部栅极开孔，使用在栅极内部集成LED元胞的方法，使得光线入射到JFET区，并且产生光生载流子，增大器件的导通电流，消除逆导型IGBT器件的折回(Snap‑back)现象，并且可以使器件获得更好的续流特性。
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公开(公告)号：CN116314421A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310205135.0
申请日：2023-03-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种双p层碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层、圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂p‑型吸收层、钝化隔离介电层、钝化隔离层；整个器件具有纵向和横向两个p‑i‑n结构，两个p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，在纵向p‑i‑n内产生的光生载流子被电场加速漂移至横纵向结合p‑i‑n结构中的p+型欧姆接触层中。在n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极，p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极，避免光生载流子复合问题，提高收集光生载流子效率，获得更高器件响应度。
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公开(公告)号：CN112117336B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011005272.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L23/52 , H01L27/144 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N+型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P+层，用于制备阵列的单个像素点；所述P+层上设有P型金属电极；光从背面的N+型4H‑SiC衬底进行照射，所述N+型4H‑SiC衬底上对应P+层的位置刻蚀有贯穿N+型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N+型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。
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公开(公告)号：CN104465676A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410745796.3
申请日：2014-12-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L21/784 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 4H-SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法，涉及光电二极管阵列芯片。芯片具有1×128像素，由128个SiC PIN单管沿一维直线排列而成，每个单管均设有n+型SiC衬底，在衬底上依次外延生长n-型层、p-型层和p+型层，芯片表面生长氧化硅的钝化膜，在p+型层上设有p型电极，在p型电极上沉积Ti/Au作为焊盘接触金属，在n+型衬底的背面设有n型电极。在外延片上刻蚀出台面结构作为各单管的光敏面；热氧化生长氧化硅钝化层；将p+型层上的氧化层光刻窗口，去除重掺杂n+型衬底上的氧化层，沉积n型电极金属；将p型和n型电极金属退火与外延片形成欧姆接触；在p型欧姆接触电极沉积金属以制备焊盘。
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