公开(公告)号：CN108521075B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810315250.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  许荣彬 ,  梅洋 ,  徐欢 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1‑XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。

公开(公告)号：CN219018128U

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202223453199.2

申请日：2022-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  李青璇 ,  许荣彬 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/183

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器，包括：支撑基板、第一电极、第一分布布拉格反射镜、透明导电层、外延层、第二分布布拉格反射镜和第二电极，外延层包括P型氮化物、有源区和N型氮化物；第二分布布拉格反射镜设置于N型氮化物的上表面中部，第二电极设置于N型氮化物的上表面两侧；P型氮化物的下方两侧设置有辐照区，由高能粒子辐照形成电流限制层，中部设置有非辐照区，透明导电层设置于非辐照区下表面，第一分布布拉格反射镜设于透明导电层下表面，第一电极包覆于第一分布布拉格反射镜和透明导电层的外表面及电流限制层的下表面，支撑基板设于第一电极下表面。本实用新型工艺简单，散热性好。

公开(公告)号：CN220456887U

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202322132069.7

申请日：2023-08-09

Applicant: 厦门大学 ,  福建中晶科技有限公司

Inventor： 梅洋 ,  徐欢 ,  应磊莹 ,  张保平 ,  刘熠新 ,  林赛 ,  蔡琦 ,  游庆勇

IPC: H01S5/125

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件，包括：依次设置的支撑基板、第一反射镜、位于同层的透明导电层和电流限制层、外延层以及位于同层的第二反射镜和第二电极；第二反射镜设于外延层的上表面中部，第二电极设于外延层的上表面两侧；透明导电层设于外延层的下表面中部，电流限制层设于外延层的下表面两侧；第一反射镜是由金属反射镜和介质膜分布式布拉格反射镜组成的混合镜结构，介质膜分布式布拉格反射镜设于透明导电层的下表面中部，金属反射镜覆盖在介质膜分布式布拉格反射镜的下表面、透明导电层的下表面、电流限制层的下表面和支撑基板的上表面。本实用新型在不影响反射率的同时减少介质膜DBR对数，降低器件热阻。