公开(公告)号：CN119426143A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202510034166.3

申请日：2025-01-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 薛晨阳 ,  海振银 ,  刘志春 ,  胡顺涛 ,  苏智轩 ,  陈俊

IPC: B05D5/12 ,  G01K7/00 ,  B05D7/00 ,  B05D1/38 ,  B05D3/04 ,  B05D3/14 ,  B05D3/00 ,  B05D1/04 ,  B41J3/413 ,  B41J3/407 ,  B41M5/00

Abstract: 本发明提出了一种制备钨铼超高温辐射温度传感器的敏感层和绝缘层的喷印方法，包括对正负极氧化铝基底预处理后，通过电流体喷印平台依次在正负极氧化铝基底上喷印正负极敏感层，烧结形成正负极敏感芯体。并在此基础上进一步提出了钨铼超高温辐射温度传感器及其制备方法，钨铼超高温辐射温度传感器自下而上包括负极敏感芯体、绝缘层和正极敏感芯体，负极敏感芯体自下而上包括钨/铼26敏感层、负极氧化铝基底、钨/铼26引线和负极氧化铝圆片；正极敏感芯体自上而下包括钨敏感层、正极氧化铝基底、钨引线和正极氧化铝圆片。该传感器测温范围达400℃至3000℃，远超传统传感器的极限温度，满足了航天、冶金等极端环境的需求。