公开(公告)号：CN113358938B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202110531565.2

申请日：2021-05-14

Applicant: 南通大学

Inventor： 尹海宏 ,  周宇祥 ,  施天宇 ,  赵晨媛 ,  邵海宝 ,  邓洪海 ,  黄静 ,  秦琳 ,  张振娟

IPC: G01R27/26

Abstract: 在本发明中，使介电测试环境的温度按照设定的升温速率而随时间线性升高，阻抗测试仪持续地以设定的频率对待测试样进行介电测试，变温测试箱中的温度传感器的测量数值、阻抗测试仪的介电测试数据通过连接线传输至计算机，由计算机进行存储和后期分析，测试数据保存为数据文件；然后标定当次测试的温度传感器测试温度与待测试样的实际温度之间的差值；数据文件中的每一个温度测量值扣除温度传感器测试温度与待测试样的实际温度之间的差值后，得到待测试样的实际温度，最终得到待测试样在设定频率下的实际的介电温谱。本发明的方法极大地缩短了测试时间。

公开(公告)号：CN113588727B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202110531383.5

申请日：2020-01-07

Applicant: 南通大学

Inventor： 尹海宏 ,  施天宇 ,  王志亮 ,  宋长青 ,  印川 ,  赵晨媛

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/22 ,  C23C14/04 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明揭示了一种无存储模块的湿度传感器芯片，该湿度传感器芯片包括湿度敏感模块、测量电路模块、微处理单元MCU；湿度敏感模块包括湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极；湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极构成三电极结构的湿度敏感型电容‑‑电阻复合结构；第一电极、湿度敏感材料、第二电极构成湿度敏感电阻（湿敏电阻）结构，湿度敏感材料作为湿度敏感电阻（湿敏电阻）的湿度敏感材料；所述衬底是具备压电效应的晶体材料。

公开(公告)号：CN109709152B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201910094589.9

申请日：2019-01-30

Applicant: 南通大学

Inventor： 尹海宏 ,  王志亮 ,  宋长青 ,  印川 ,  施天宇

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明揭示了一种用于fA~pA量级微弱电流的绝缘薄膜测量系统，其中的电学测试装置中的前置跨阻放大器包括有两个CMOS运算放大器、四个CMOS传输门、四个CMOS反相器、六个电阻、两个电容。绝缘薄膜的漏电流大小通常介于数十fA（10‑15A）至数十pA（10‑12A），通过合理选择外围元件，前置跨阻放大器的输出电压可达到数μV至几十μV量级，该输出电压信号再经过中间电压放大器、后端电压放大器依次放大，可被电流测量装置准确测量出来，最终送至计算机进行处理、显示。利用本发明的ASIC独有的处理方式，有效地从信号源中过滤掉了运算放大器自身带来的干扰信号。

公开(公告)号：CN109709152A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910094589.9

申请日：2019-01-30

Applicant: 南通大学

Inventor： 尹海宏 ,  王志亮 ,  宋长青 ,  印川 ,  施天宇

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明揭示了一种用于fA～pA量级微弱电流的绝缘薄膜测量系统，其中的电学测试装置中的前置跨阻放大器包括有两个CMOS运算放大器、四个CMOS传输门、四个CMOS反相器、六个电阻、两个电容。绝缘薄膜的漏电流大小通常介于数十fA（10-15A）至数十pA（10-12A），通过合理选择外围元件，前置跨阻放大器的输出电压可达到数μV至几十μV量级，该输出电压信号再经过中间电压放大器、后端电压放大器依次放大，可被电流测量装置准确测量出来，最终送至计算机进行处理、显示。利用本发明的ASIC独有的处理方式，有效地从信号源中过滤掉了运算放大器自身带来的干扰信号。

公开(公告)号：CN112885994A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110309258.X

申请日：2021-03-23

Applicant: 南通大学

Inventor： 尹海宏 ,  赵晨媛 ,  周宇祥 ,  施天宇 ,  王志亮 ,  宋长青 ,  秦琳 ,  邵海宝 ,  邓洪海 ,  张振娟

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/52 ,  H01M4/58 ,  H01M4/583 ,  H01M10/052 ,  H01M10/625 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于锂硫电池正极材料制备技术领域，公开了一种具有核壳结构的锂硫电池正极材料及其制备方法与应用，制备方法包括：将硒氢化钠溶液注入pH为11～11.2的六水合硝酸锌溶液中，加入碳纳米管水相法制备ZnSe‑CNTs；之后与硫粉经熔融法制备ZnSe‑CNTs/S内核；最后氢氧化镍作为外壳沉积在内核上制备ZnSe‑CNTs/S@Ni(OH)2。本发明正极材料应用于锂硫电池中，能改善锂硫电池的循环稳定性能和倍率性能，同时抑制了锂硫电池中的穿梭效应问题，提高了锂硫电池电化学性能。

公开(公告)号：CN112229878A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202010011995.7

申请日：2020-01-07

Applicant: 南通大学

Inventor： 尹海宏 ,  赵晨媛 ,  王志亮 ,  宋长青 ,  施天宇 ,  印川

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/22 ,  C23C14/04 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明揭示了一种三电极结构的湿度传感器芯片，该湿度传感器芯片包括湿度敏感模块、测量电路模块、微处理单元MCU；湿度敏感模块包括湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极；湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极构成三电极结构的湿度敏感型电容‑‑电阻复合结构；第一电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极构成电容器结构，湿度敏感材料、衬底为电容器的复合介电层；第二电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极也构成电容器结构，湿度敏感材料、衬底为电容器的介电层；第一电极、湿度敏感材料、第二电极构成湿度敏感电阻（湿敏电阻）结构，湿度敏感材料作为湿度敏感电阻（湿敏电阻）的湿度敏感材料；所述衬底是具备压电效应的晶体材料。