公开(公告)号：CN102051603B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201010518539.8

申请日：2010-10-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙国忠 ,  敖建平 ,  李宝璋 ,  张超 ,  何青 ,  周志强

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种等离子体辅助硒硫化处理装置，设置于真空室内，包括壳体、阴极板和阳极板，阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器，阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽，阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为：1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层，然后放入阴极板的沟槽中；2)将其置于真空室内抽真空，打开电源加热阴极板和阳极板，启动等离子体发生器电源，并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点：硒原子的反应活性高，金属预制层的硒化反应完全，光电转换效率高；基片的加热温度低，不易变形；采用电子方式监控两电极间容抗的变化，了解转化的进展，减少工业化生产的废品率。