公开(公告)号：CN118825105A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410713280.4

申请日：2024-06-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 薛俊俊 ,  王银胜 ,  汪旭 ,  汪金 ,  智婷

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  C25B11/091 ,  C25B1/55 ,  C25B3/21

Abstract: 本发明提供一种AlGaN/Cu2O/CuO异质结核壳结构的制备方法及其自供电光电化学型日盲紫外光电探测器(AlGaN/Cu2O/CuO PEC PD)的成像系统。相对于裸的AlGaN光电探测器，AlGaN/Cu2O/CuO PEC PD具有优秀的紫外线光检测能力，AlGaN/Cu2O/CuO PEC PD具有超高的光响应度，约为173.3mA/W，是AlGaN的7.67倍；开关比为293.33，具有良好的稳定性和良好的水下成像能力，制作工艺简单，成本低廉，具有广阔的成像应用前景。

公开(公告)号：CN118712225A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410857619.8

申请日：2024-06-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄淞 ,  马文超 ,  汪金 ,  薛俊俊 ,  智婷 ,  宋欢 ,  刘思楚

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有κ相氧化镓栅介质的GaN基P沟道HFET结构；本发明通过设置第一隔离区和第二隔离区，并在第一隔离区中设置base电极，第二隔离区中设置κ相氧化镓栅极介质及栅电极，利用κ相氧化镓极高的自发极化强度，耗尽栅极区域下的2DHG，进而实现增强型P沟道HFET；此外本发明还公开了一种栅极与base极相连的结构，有效提升了P沟道GaN器件的开态电流，同时抑制了正偏压下的栅极漏电流；此结构与目前常用的半导体器件生产工艺兼容性高，稳定性好。

公开(公告)号：CN118571930A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410754469.8

申请日：2024-06-12

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 汪金 ,  黄淞 ,  宋欢 ,  刘思楚 ,  薛俊俊 ,  智婷

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN_GaN的P沟道异质结场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管，包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、AlN插入层、ScAlN势垒层、GaN通道层、P型轻掺杂GaN盖帽层、N型重掺杂GaN层和P型重掺杂GaN盖帽层，所述N型重掺杂GaN层位于P型轻掺杂GaN盖帽层的一个凹栅中；所述P型重掺杂GaN盖帽层上形成栅极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层一端形成源极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层另一端形成漏极。本发明使用的是Sc0.18Al0.82N，与GaN没有晶格失配，提高了空穴迁移率，从而增大了开态电流。