公开(公告)号：CN102157682B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010559251.5

申请日：2010-11-25

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈孝敏 ,  刘璐 ,  袁国亮

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种通过铁电极化可以调控有效电阻的单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方式。本发明的单相铁电薄膜包括B位掺杂的锆钛酸钡Ba1-xSrxTi1-yByO3、铁酸铅Pb(Fe1-yBy)O3、钴酸铅Pb(Co1-yBy)O3、锆钛酸铅(Pb1-xAx)(ZryTi1-y)O3、A位掺杂的锰酸钇Y1-xAxMnO3、铁酸铋Bi1-xAxFeO3、钛酸铋Bi4-xAxTi3O12；本发明利用脉冲激光沉积、激光分子束外延、磁控溅射的薄膜制备方法制备单相铁电薄膜；制得的铁电薄膜的厚度在0.4-1000纳米，并且具有较大的电导和漏电流，同时具备铁电性和半导体性能；本发明提供了一种提高单相铁电薄膜抗疲劳性能的方法，其铁电极化翻转次数可以提高到x=102~1010次，通过翻转铁电极化，可以调控单相铁电薄膜的有效电阻。

公开(公告)号：CN102157682A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010559251.5

申请日：2010-11-25

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈孝敏 ,  刘璐 ,  袁国亮

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种通过铁电极化可以调控有效电阻的单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方式。本发明的单相铁电薄膜包括B位掺杂的锆钛酸钡Ba1-xSrxTi1-yByO3、铁酸铅Pb(Fe1-yBy)O3、钴酸铅Pb(Co1-yBy)O3、锆钛酸铅(Pb1-xAx)(ZryTi1-y)O3、A位掺杂的锰酸钇Y1-xAxMnO3、铁酸铋Bi1-xAxFeO3、钛酸铋Bi4-xAxTi3O12；本发明利用脉冲激光沉积、激光分子束外延、磁控溅射的薄膜制备方法制备单相铁电薄膜；制得的铁电薄膜的厚度在0.4-1000纳米，并且具有较大的电导和漏电流，同时具备铁电性和半导体性能；本发明提供了一种提高单相铁电薄膜抗疲劳性能的方法，其铁电极化翻转次数可以提高到x=102~1010次，通过翻转铁电极化，可以调控单相铁电薄膜的有效电阻。

公开(公告)号：CN208736640U

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201820856749.X

申请日：2018-06-01

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 叶祖坤 ,  王禹林 ,  李作康 ,  欧屹 ,  刘璐 ,  仇进生

IPC: G01M5/00

Abstract: 本实用新型公开了一种高精度直线导轨副静刚度综合测量装置，本实用新型装置固定座固定在水平的台面板上，导轨副、基准板固定在固定座上，用于测量导轨副变形量的位移传感器组安装在滑动块上；压力传感器与压块连接；加载装置带动压块下降，分别通过圆柱体在滑动块上施加线载荷F1与F2；本实用新型测量装置将载荷F1与F2分解为四个方向的等效载荷，位移传感器组测得的变形量亦换算为四个方向的等效变形量。本实用新型在保证高效测量滚动直线导轨副静刚度的同时，大大提高了测量结果的准确性与可靠性，对导轨副综合静刚度的测评具有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利